ROHM acaba de anunciar la disponibilidad de un nuevo MOSFET de SiC de 1700V optimizado para aplicaciones industriales como equipos de fabricación e inversores de alta tensión de uso general.

Durante los últimos años, la tendencia creciente por conservar la energía en todas las áreas ha aumentado la demanda de semiconductores de potencia para ahorro de energía, destinados especialmente a aplicaciones en el sector industrial, como inversores de uso general y equipos de fabricación. En la mayoría de fuentes de alimentación auxiliares, que se utilizan para proporcionar tensiones de accionamiento a circuitos de fuentes de alimentación, CI de control y varios sistemas complementarios, se emplean MOSFET de silicio con una alta tensión de ruptura (más de 1000V). No obstante, estos MOSFET de alta tensión experimentan grandes pérdidas en conducción (que a menudo generan un calor excesivo) y presentan problemas relacionados con la superficie de montaje y el número de componentes externos, lo cual dificulta la reducción del tamaño del sistema. Como respuesta a ello, ROHM ha desarrollado MOSFET de SiC de bajas pérdidas y CI de control que maximizan las prestaciones y ayudan a miniaturizar el producto final.

El SCT2H12NZ ofrece la alta tensión de ruptura requerida por las fuentes de alimentación auxiliares en equipos industriales. Las pérdidas en conducción se ven reducidas en un factor 8 respecto a los MOSFET convencionales de silicio, elevando así la eficiencia energética. Además, al combinarlo con el CI de control de convertidor AC/CC de ROHM especialmente diseñado para el accionamiento de MOSFET de SiC (BD7682FJ-LB) será posible maximizar las prestaciones y mejorar la eficiencia hasta un 6%. Esto permite utilizar componentes periféricos de menor tamaño, lo cual a su vez incrementa la miniaturización.

Principales características
1. Optimizado para fuentes de alimentación auxiliares en equipos industriales
Si se compara con los MOSFET de silicio de 1500V utilizados en fuentes de alimentación auxiliares para equipos industriales, el SCT2H12NZ proporciona una tensión de ruptura más elevada (1700V) con una resistencia en conducción 8 veces menor (1,15Ω). Además, su encapsulado compacto TO-3PFM conserva la distancia de fuga (distancia medida a lo largo de la superficie del material aislante) exigida por el equipo industrial. ROHM suministra una versión para montaje superficial (TO268-2L) que también ofrece la distancia de fuga adecuada.

2. Mejor eficiencia cuando se combina con el CI dedicado de ROHM
Al utilizar este nuevo MOSFET de SiC junto con el CI de control de convertidor AC/CC de ROHM (BD7682FJ-LB) especialmente diseñado para el accionamiento de MOSFET de SiC permitirá maximizar las prestaciones y aumentar la eficiencia hasta un 6%. También se reducirá la generación de calor, lo cual minimiza así las contramedidas de tipo térmico y permite utilizar componentes más pequeños.

3. Evaluación sencilla con la tarjeta de evaluación de ROHM para dispositivos de SiC
Como fabricante integral de semiconductores, ROHM ofrece una amplia gama de CI optimizados para diversos dispositivos de SiC. ROHM también lanza tarjetas de evaluación y kits que posibilitan la evaluación y el desarrollo de manera inmediata. Además del BD7682FJ-LB-EVK-402 se ofrece una tarjeta para accionamiento de puerta destinada a la evaluación del módulo de SiC completo de ROHM así como un módulo amortiguador. Más información en la página de soporte dedicado de ROHM.

Aplicaciones
Fuentes de alimentación auxiliares para equipos industriales de alta tensión (400VCA) como automatización industrial (robots), inversores solares e industriales y dispositivos para fabricación/comprobación.

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