Nexperia ha anunciado el lanzamiento de los MOSFET con certificación RDS _(on) más baja de la compañía. Los MOSFET "Superjunction" para automoción AEC-Q101 Trench 9 de 40 V en el robusto y eficiente eléctricay térmicamente LFPAK56E, ofrecen una reducción de huella de hasta un 81% en comparación con soluciones tradicionales de módulos de pastilla (bare die) como los dispositivos D2PAK o D2PAK-7.

El MOSFET BUK9J0R9-40H de 0.9 mΩ, 220 A con clasificación DC satisface aplicaciones de hasta 1.2 kW, y también es más económico que los dispositivos D2PAK más grandes que fueron la mejor solución anterior.
Además de reducir la RDS _(on), los nuevos dispositivos también cuentan con una clasificación de corriente DC mejorada de 220 A, una primicia para la huella de energía SO8 automotriz. Esto permite una mayor densidad de potencia en un espacio reducido, lo que es especialmente valioso para las aplicaciones de automoción críticas para la seguridad que requieren circuitos dobles redundantes. El uso de la tecnología "Superjunction" brinda una mayor capacidad Avalanche y un área de funcionamiento segura para un mejor rendimiento en condiciones de fallo.
Según Norman Stapelberg, Product Marketing Manager: "Nexperia es la única empresa con una plataforma MOSFET Superjunction de bajo voltaje. En términos de fiabilidad y rendimiento general, Nexperia es el líder del mercado: la robusta tecnología de superjunction Trench 9 combinada con los encapsulados ultra robustos LFPAK56 y LFPAK56E brinda a los ingenieros la confianza para usar este dispositivo en sus diseños críticos de seguridad".
Los MOSFET LFPAK56 Trench 9 facilitan el fácil paralelismo para aplicaciones de alta corriente. Los dispositivos se adaptan a funciones de automoción tales como control de motor (con y sin escobillas) para dirección asistida, control de transmisión, ABS, ESC, bombas (agua, aceite y combustible), control de velocidad del ventilador, protección de batería inversa y convertidores DC / DC.

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