Circuitos integrados

MOSFET LFPAK56 de Nexperia con distancia de aislamiento y líneas de fuga mejoradas, cumpliendo con UL2595

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Nexperia anuncia que dos de sus MOSFET encapsulados en LFPAK56 ahora están disponibles con distancia de aislamiento y líneas de fuga mejoradas para cumplir con los requisitos de UL2595 de equipos con batería calificados entre 15 y 32 V.

Los dispositivos son 100% compatibles con la huella Power-SO8 estándar de la industria; ningún otro dispositivo compacto de montaje en superficie cumple con UL2595 todavía, que exige distancias mínimas aislamiento y líneas de fuga de 1,5 mm entre los terminales de Source y Drain.

A diferencia de algunos tipos de Power-SO8 de la competencia que se construyen mediante la unión de cables, el encapsulado LFPAK56 de Nexperia utiliza una pinza de cobre que se suelda en una sola operación a la superficie de la pastilla. Esto reduce la resistencia a la dispersión y le da a LFPAK56 características eléctricas y térmicas superiores, así como una mayor fiabilidad. Los nuevos MOSFET de canal N PSMN0R9-30ULD y PSMN1R0-40ULD en el encapsulado mejorado SOT1023A presentan una distancia de fuga de 1,5 mm y una distancia de separación de 1.55 mm. El dispositivo PSMN0R9-30ULD tiene una potencia nominal de 30 V, que ofrece 0.87 mΩ y 300 A, el PSMN1R0-40ULD tiene una potencia nominal de 40 V, con 1.1 mΩ y 280 A.

Según Eric Su, Director Internacional de Marketing de Producto: "UL2595 es un estándar importante de los EE. UU. Que podría ser adoptado por otros organismos reguladores internacionales. Además, los fabricantes de equipos prefieren diseñar un producto global que cumpla con los estándares más exigentes, en lugar de tener múltiples versiones para diferentes ubicaciones geográficas. Por lo tanto, es importante que los diseñadores sean conscientes de que los dispositivos Power-SO8 normales no pasarán UL2595, pero que hay un reemplazo adaptable disponible ".

Los MOSFET PSMN0R9-30ULD y PSMN0R9-40ULD son parte de la familia de dispositivos NextPowerS3 de Nexperia que ofrecen una combinación de baja RDS (on), alta corriente máxima y área operativa segura (SOA), perfecta para aplicaciones de control de motor a batería.

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