Nexperia ha anunciado una serie de MOSFETs de automoción half-bridge (high side & low side) construidos en el formato de encapsulado LFPAK56D que ahorra espacio. La configuración half-bridge de dos MOSFETS es un bloque de construcción estándar para muchas aplicaciones de automoción, incluidos los accionamientos de motor y los convertidores CC/CC.

El nuevo encapsulado ofrece una solución half-bridge en un solo dispositivo, que ocupa un 30% menos de superficie de PCB en comparación con los MOSFET dobles para topologías de control de motores trifásicos gracias a la eliminación de las pistas de PCB, al tiempo que permite una sencilla inspección óptica automatizada (AOI) durante la producción. El LFPAK56D half-bridge utiliza los procesos de ensamblaje de alto volumen existentes de LFPAK56D con una fiabilidad probada en el sector de la automoción. El formato del encapsulado utiliza hilos flexibles para mejorar la fiabilidad general, y una conexión interna de clip de cobre entre los MOSFETs simplifica los diseños de PCB y aporta una solución de estilo "plug and play" con una excepcional capacidad de manejo de corriente de 98 A.
Normalmente, en una disposición half-bridge, la conexión de PCB entre la fuente del MOSFET Hs(High side) y el drenaje del MOSFET Ls (Low side) puede crear una cantidad significativa de inductancia parásita. Sin embargo, con su conexión de clip interna, el encapsulado half-bridge del LFPAK56D consigue una inductancia un 60% menor.
Los nuevos MOSFET LFPAK56D half-bridge lanzados son el BUK7V4R2-40H y el BUK9V13-40H. Ambos utilizan la robusta tecnología de proceso de silicio Trench 9 para automoción, tienen una potencia nominal de 40 V y están verificados al doble de la especificación AEC-Q101 para automoción en pruebas clave. La RDS(on) de los dispositivos mide 4,2 mOhm (BUK7V4R2) y 13 mOhm (BUK9V13).
El encapsulado half-bridge Nexperia LFPAK56D, con calificación AEC-Q101, se adapta a una amplia gama de aplicaciones trifásicas de automoción, como las bombas de agua y combustible, el control de motores y la conversión de potencia CC/CC, ocupando un 30% menos de superficie de PCB y un 60% menos de inductancia parásita para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento. La nueva tecnología ya ha tenido éxito con el diseño y el compromiso de los principales clientes del sector del automóvil.

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