Circuitos integrados

MOSFETs Nexperia de baja RDS(on) de 40 V con la mayor densidad de potencia para aplicaciones industriales y de automoción

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Nexperia ha anunciado hoy nuevos MOSFETs de potencia de 0,55 mΩ RDS(on) 40 V en el encapsulado LFPAK88 de alta fiabilidad para aplicaciones de automoción (BUK7S0R5-40H) e industriales (PSMNR55-40SSH). Estos dispositivos son los componentes de 40 V con menor RDS(on) que Nexperia ha fabricado nunca y, lo que es más importante, ofrecen densidades de potencia más de 50 veces superiores a las de los dispositivos D2PAK tradicionales.

Además, los nuevos dispositivos también ofrecen un rendimiento mejorado tanto en el modo Avalancha como en el modo Lineal, lo que supone una mayor robustez y fiabilidad.
Neil Massey, director de marketing de productos de Nexperia, comenta: "Los nuevos MOSFETs LFPAK88 de 8 x 8 mm combinan la última tecnología de silicio de superjunción de alto rendimiento con nuestra probada tecnología de clip de cobre LFPAK, que es conocida por ofrecer importantes ventajas de rendimiento eléctrico y térmico. La baja RDS resultante nos permite empaquetar más silicio en el encapsulado, mejorando la densidad de potencia y reduciendo la huella del dispositivo".
Con unas dimensiones de sólo 8 x 8 x 1,7 mm, los nuevos MOSFET de potencia también presentan unas características de modo lineal/área de funcionamiento seguro (SOA) líderes en su clase para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente. El SOA en condiciones de funcionamiento de 1 ms y 20 VDS es de 35 A debido a la combinación de silicio y encapsulado, mientras que a 10 ms y 20 VDS, donde domina el encapsulado, el SOA es de 17 A. Estas cifras son entre 1,5 y 2 veces mejores que las de la competencia. Los dispositivos también ofrecen la mejor clasificación de Avalancha de un solo pulso (EAS) con 2,3 J y una clasificación de corriente ID muy fuerte de 500 A, que -a diferencia de algunos dispositivos de la competencia- es un límite medido y no teórico.
Las ventajas de tamaño y rendimiento que ofrecen los MOSFETs LFPAK88 de 8 x 8 mm de Nexperia permiten a los diseñadores sustituir dos componentes antiguos en paralelo por un nuevo LFPAK88, simplificando la fabricación y aumentando la fiabilidad. Las piezas BUK7S0R5-40H, con calificación AEC-Q101, que ofrecen más del doble de fiabilidad que la norma de automoción, son adecuadas para aplicaciones de frenado, dirección asistida, protección de batería inversa, fusibles electrónicos, convertidores CC-CC y control de motores. Los MOSFETs industriales PSMNR55-40SSH son adecuados para el aislamiento de baterías, la limitación de corriente, los fusibles electrónicos, el control de motores, la rectificación sincrónica y las aplicaciones de conmutación de carga en herramientas eléctricas, electrodomésticos, ventiladores y bicicletas eléctricas, scooters y sillas de ruedas.

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