La creciente tendencia hacia una mayor funcionalidad y sofisticación en los teléfonos inteligentes y otros dispositivos móviles, al mismo iempo que se reduce el tamaño y se mantiene o incluso prolonga la vida de la batería, ha llevado a una mayor demanda de componentes ultra-compactos que minimizan el consumo de energía, en particular de los diodos de barrera Schottky utilizados en fuentes de alimentación, donde el bajo VF y la alta corriente rectificada son obligatorios. Sin embargo, hasta ahora con el fin de reducir la VF y aumentar la capacidad de manejo de la corriente ha sido necesario aumentar el tamaño del chip, haciendo difícil la miniaturización.
En respuesta, ROHM ha mejorado significativamente la eficiencia de corriente a través del rediseño del diodo, disminuyendo la VF en un 32% respecto a los productos convencionales. Esto resulta en una menor generación de calor y superior corriente nominal, lo que permite usar encapsulados más pequeños, que pueden reducir el área de montaje hasta en un 80%.
Características principales.
1. Alta corriente en un encapsulado compacto.
La baja VF asegura una alta capacidad de gestión de corriente en un tamaño compacto.
2. Reducción de la superficie de montaje hasta en un 80%.
Mayor corriente nominal hace que sea posible usar formatos más pequeños, lo que reduce considerablemente el área de montaje.
Terminología.
VF (Forward Voltage)
La tensión cuando la corriente fluye a través del diodo en la dirección de avance. Cuanto menor es el valor menor es el consumo de energía.
Corriente rectificada media (Io)
La máxima corriente rectificada que puede fluir en la dirección de avance en las condiciones especificadas.
