El nuevo conmutador RF SPDT de alta potencia de Toshiba (TCWA1225G) ofrece una potencia pico de entrada de 46 dBm (@ 8 dB PAR). Esto se ha conseguido adoptando el proceso CMOS original de Toshiba y optimizando el circuito de conmutación interno. El proceso CMOS también reduce la pérdida de inserción para evitar disminuir la potencia de transmisión y la sensibilidad del receptor. Como resultado, la pérdida de inserción del TCWA1225G es de 0,6 dB (típ. @ 5 GHz), alrededor de un 10 % inferior a la de los productos de la competencia.
La tensión de funcionamiento es nominalmente de 3,3 V y el consumo de energía es de sólo 50 μA. El nuevo dispositivo puede funcionar a temperaturas ambiente desde -40ºC a +95ºC.
El TCWA1225G está alojado en un minúsculo encapsulado WCSP (Wafer-level Chip Scale Package) que mide sólo 1,9 mm x 1,9 mm, lo que supone una huella un 10 % menor que la de otros dispositivos. Todos los pads importantes, incluidos los terminales de RF, alimentación y control, están situados en la periferia del dispositivo para simplificar el diseño de la placa de circuito impreso.
Como parte del despliegue de la 5 G, las estaciones base de telecomunicaciones han incorporado recientemente MIMO masivo (entrada múltiple, salida múltiple) y varias antenas TX/RX para ofrecer servicios de radiocomunicaciones de velocidad ultrarrápida y capacidad ultraalta.
Las antenas individuales se componen cada vez más de rutas de transmisión de señales complejas que necesitan conmutación RF. Esto requiere una baja pérdida de inserción y una alta potencia de entrada en un encapsulado compacto para mantener o reducir el tamaño de la antena.
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