De tensión nominal de 1200V y con una resistencia máxima en estado de conducción 340 mW (valor típico RDSon de 270 mW), estos JFET cuentan con un coeficiente de temperatura positivo para la conmutación en paralelo y extremadamente rápida sin corriente de cola a 150ºC. Las aplicaciones clave incluyen microinversores fotovoltaicos, SMPS y SAIs, unidades de control de motor, y calentamiento por inducción.
A²B 2.0 de Analog Devices: audio automotriz con Ethernet, mayor ancho de banda y baja latencia
Analog Devices, Inc ha anunciado que su A²B 2.0 (Automotive Audio Bus) ya está disponible para producción. Como la siguiente evolución de la tecnología A²B de ADI, A²B 2.0 está diseñado para ayudar a los fabricantes de equipos originales (OEM) y a los proveedores de primer nivel del sector de la...
