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10 Nov 2015

Rutronik ofrece el nuevo chip de memoria ultra pequeño de Fujitsu de 1Mbit SPI FRAM. Es la solución ideal para aplicaciones miniatura con alimentación crítica para los mercados de sensores y de material portátil.

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02 Nov 2015

Toshiba Electronics Europe ha lanzado una nueva línea de productos memoria SLC NAND Flash de 24nm para aplicaciones embebidas compatibles con la interfaz Serial Peripheral (SPI) ampliamente utilizada.

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02 Oct 2015

La última versión JEDEC 5.1 define una serie de características nuevas y mejoradas que serán útiles a los diseñadores de teléfonos inteligentes y otros dispositivos inteligentes.

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05 Ago 2015

Intel Corporation y Micron Technology, Inc. han presentado la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar cualquier dispositivo, aplicación o servicio que se beneficie de un rápido acceso a grandes conjuntos de datos.

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15 Jun 2015

Maxim Integrated Products, Inc. hace que sea fácil de calibrar un sensor médico consumible y supervisar o controlar la reutilización insalubre de productos médicos desechables con la memoria no volátil (NV) 1-Wire® DS28E80  resistente a la radiación Gamma.

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18 May 2015

Crucial lanza sus nuevas memorias DDR4 Ballistix Sport y Ballistix Tactical especialmente concebidas para optimizar el rendimiento de los videojuegos. Estos nuevos módulos para videojuegos combinan un diseño elegante con la potencia de rendimiento de la memoria DDR4, y la fiabilidad que los vdeojugadores (gamers) necesitan para adueñarse de la competición.

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31 Mar 2015

Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, un dispositivo de 128 Gigabits con 2 bits por celda ( 16 gigabytes).

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23 Feb 2015

e2v Inc. ha anunciado la disponibilidad de las versiones EP (Productos mejorados) de la EV25Q128-EP, memoria flash NOR que cuenta con una interfaz de bus en serie de alta velocidad, compatible con SPI.

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26 Sep 2014

Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de características de ahorro de energía, los dispositivos de 256 MB, 512 MB, 1 GB y 2 GB se ofrecen en encapsulados 8 mm por 9 mm 60-ball y de 8 mm por 13 mm  90-ball FPBGA.

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13 May 2014

Samsung Electronics, Co., Ltd., ha anunciado la producción en masa de los primeras SSD PM853T con NAND de 3 bit capaces de ofrecer el mejor rendimiento del mercado. Los nuevos SSD permitirán a los centros de datos gestionar mejor las cargas de trabajo relacionado con las redes sociales, buscador web y email, así como mejorar la eficiencia en las operaciones.

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06 May 2014

Microchip anuncia un nuevo dispositivo de memoria Flash con acceso paralelo: el SST38VF6401B. El SST38VF6401B es un dispositivo Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) CMOS de 4M x16 fabricado con la tecnología CMOS SuperFlash® de altas prestaciones de Microchip,

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25 Abr 2014

La miniaturización de los circuitos electrónicos no sólo requiere de pequeños componentes, sino también un funcionamiento sin interferencias. Con la familia de productos WE- TMSB, Würth Elektronik eiSos ofrece el chip de ferrita más pequeño en el formato estándar de chip 0201.