Los nuevos MOSFETs TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z y TK190E65Z consiguen una reducción del 40% en la figura de mérito (FoM) de resistencia de drenaje-fuente (RDSON) x carga de drenaje-puerta (Qgd) en comparación con la generación anterior de DTMOS. Esto se traduce en una reducción sustancial de las pérdidas de conmutación con respecto a los dispositivos anteriores.  En consecuencia, los diseños que incorporen los nuevos dispositivos experimentarán un aumento de la eficiencia. La mejora del rendimiento se aplicará tanto a los nuevos diseños como a las actualizaciones de los existentes.
 
Los cuatro nuevos dispositivos ofrecen una tensión de drenaje-fuente (VDSS) de 650 V con una capacidad de corriente de drenaje (ID) de hasta 30 A. La resistencia de activación de la fuente de drenaje (RDSON) es tan baja como 0,09 y la carga de drenaje de la puerta (Qgd) puede ser tan baja como 7,1 nC, lo que permite un funcionamiento de bajas pérdidas a altas velocidades. Todos los dispositivos se presentan en encapsulado de orificio pasante TO-220 estándar del sector.
 
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