La arquitectura de 800 VCC representa un sistema de suministro de energía altamente eficiente y escalable, preparado para transformar el diseño de los centros de datos al permitir fábricas de IA a escala de gigavatios. ROHM ofrece una amplia gama de dispositivos de potencia, entre los que se incluyen silicio (Si), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), y es una de las pocas empresas a nivel mundial con la experiencia tecnológica necesaria para desarrollar circuitos integrados analógicos (circuitos integrados de control y potencia) capaces de maximizar el rendimiento de los dispositivos.
El libro blanco incluye las soluciones de potencia integrales de ROHM, que abarcan una amplia gama de dispositivos de potencia y tecnologías de circuitos integrados analógicos, respaldadas por simulaciones de diseño térmico, estrategias de diseño a nivel de placa y ejemplos de implementación en el mundo real.
Aspectos más destacados del informe técnico
• Aumento del consumo energético de los racks: la demanda de energía por rack en los centros de datos de IA está aumentando rápidamente, lo que está llevando al límite a los sistemas de alimentación convencionales de 48 V/12 V CC.
• Cambio a 800 VCC: la transición a una arquitectura de 800 VCC mejora significativamente la eficiencia, la densidad de potencia y la sostenibilidad de los centros de datos.
• Conversión de potencia redefinida: en el sistema de 800 VCC, la conversión de CA a CC (PSU), que tradicionalmente se realizaba dentro de los racks de servidores, se traslada a un rack de alimentación dedicado.
• Papel esencial del SiC y el GaN: los dispositivos de banda ancha son fundamentales para lograr un rendimiento eficiente. Al trasladar la conversión de CA a CC fuera del rack de TI, las configuraciones de mayor densidad dentro del rack de TI pueden soportar mejor la integración de la GPU.
• Topologías de conversión optimizadas: cada etapa de conversión, desde CA a 800 VCC en el rack de alimentación y desde 800 VCC a voltajes más bajos en el rack de TI, requiere soluciones especializadas. Los dispositivos SiC y GaN de ROHM contribuyen a una mayor eficiencia y a una reducción del ruido, al tiempo que disminuyen el tamaño de los componentes periféricos, lo que aumenta significativamente la densidad de potencia.
• Tecnologías de dispositivos innovadoras: La serie EcoSiC™ de ROHM ofrece módulos de refrigeración superior con una baja resistencia líder en el sector, ideales para servidores de IA, mientras que la serie EcoGaN™ combina el rendimiento del GaN con tecnologías analógicas IC patentadas, como Nano Pulse Control™. Esto permite una conducción estable de la puerta, un control ultrarrápido y un funcionamiento de alta frecuencia, características que han obtenido un gran reconocimiento en el mercado.
El cambio a una infraestructura de 800 VCC es un esfuerzo colectivo de la industria. ROHM está trabajando en estrecha colaboración con NVIDIA, operadores de centros de datos y diseñadores de sistemas de alimentación para ofrecer tecnologías esenciales de semiconductores de banda ancha para la infraestructura de IA de próxima generación. A través de colaboraciones estratégicas, incluida una asociación con Delta Electronics en 2022, ROHM sigue impulsando la innovación en dispositivos de potencia SiC y GaN, lo que permite soluciones de centros de datos potentes, sostenibles y eficientes desde el punto de vista energético.
