La electrificación generalizada está impulsando el crecimiento de los semiconductores de SiC mientras grandes segmentos del mercado como la electromovilidad, la sostenibilidad y la industria se convierten en soluciones de potencia basadas en SiC gracias a sus capacidades de conmutación rápida, menores pérdidas de potencia y alto rendimiento a alta temperatura.
EPS Global, organización mundial en servicios de programación de circuitos integrados y encriptación segura, ha anunciado un servicio de programación segura que responde a los requisitos de la legislación internacional sobre medidas de ciberseguridad para dispositivos conectados a Internet.
La amplia gama de módulos SiC de 62 mm de StarPower Semiconductor Ltd, partner de Media MicroComputer y marca representada en todo el grupo Steliau Technology-EUROPE, ofrece una alternativa inteligente a las soluciones IGBT en producción desde hace varios años.
StarPower ofrece una gama de módulos de medio puente Full-SiC en un encapsulado estándar en el sector de 62 mm ampliamente probada en diseños y productos de mercado.
Los modelos más significativos son las siguientes versiones estándar:
StarPower ha diseñado estos modelos con topologías de medio puente con mosfets de SiC que aprovechan el diodo interno del cuerpo del mosfet para la conducción inversa.
Para garantizar la máxima fiabilidad, tanto de las muestras como en las producciones en volúmenes estándar realizan un proceso de sinterización para todos los módulos de SiC de 62 mm. Además de poder llegar, si el cliente lo requiere, a tensiones de aislamiento de 6,5 kV bajo pedido.
Media MicroComputer es consciente que los requisitos de las aplicaciones suelen ser diversos. Algunas pueden requerir bajas pérdidas de conducción y bajo Rth, otras bajas pérdidas de conmutación o una relación coste/rendimiento optimizada para aplicaciones sensibles al precio. Para garantizar que nuestros clientes puedan adoptar todo el potencial del SiC a sus necesidades, StarPower ofrece total flexibilidad dentro del diseño existente sin costes adicionales de utillaje. Esta posibilidad nos ofrece diseños con menor ID y mayor Rdson en beneficio de un menor coste del módulo o diseñar con pérdidas de conmutación mejoradas con Rdson más alto.
Este es una pequeña muestra de la capacidad de StarPower que desde el 2005 diseña y fabrica módulos IGBT y módulos personalizados para aplicaciones en el área de inversores, equipos de soldadura, calentamiento inductivo, SAI, VE, energía solar/eólica y otras aplicaciones que necesitan un el rango de potencia de 10kW hasta 1MW o más.
Para acompañar en la personalización de módulos a la aplicación del cliente los ingenieros de Media MicroComputer y los de StarPower Europe AG con sede en Suiza, Cadenazzo, ofrecen su conocimiento y know-how para obtener los mejores resultados.
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor alas de gaviota, conocido como L-TOGLTM.
Farnell anuncia la disponibilidad de sus nuevos productos EliteSiC de carburo de silicio (SiC), altamente optimizados para las soluciones de infraestructura energética de onsemi. Estos nuevos dispositivos cumplen los requisitos de rendimiento de la próxima generación gracias a sus reducidas pérdidas de conmutación bajo condiciones reales si se comparan con sus competidores.
Renesas Electronics Corporation ha presentado un nuevo dispositivo de alimentación inteligente (IPD) para automoción que controlará de forma segura y flexible la distribución de energía dentro de los vehículos, dando respuesta a los requisitos de las arquitecturas E/E (eléctricas/electrónicas) de próxima generación.
Entrevista a Bob Martin, Ingeniero Sénior de Aplicaciones, Unidad de Negocio MCU8, Microchip Technology
¿Cómo revitalizará IoT la industria de semiconductores y jugará un papel clave en la “Industria 4.0”?
Microchip:
Un término más apropiado es "reorientar" desde aplicaciones biométricas personales y vehículos autónomos hasta aplicaciones centradas en los miles de procesos y máquinas que funcionan durante las 24 horas del día y todos los días del año a nivel mundial dentro del segmento industrial.
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado cinco MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de 1200V que aprovechan la tecnología SiC de tercera generación de la compañía para impulsar la eficiencia energética de las aplicaciones industriales de alto voltaje. Se utilizan en equipos como estaciones de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación industriales, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y convertidores DC-DC bidireccionales o de medio puente.
Nexperia ha anunciado el lanzamiento de una nueva gama de MOSFETs de 20 V y 30 V en el encapsulado DFN más pequeño del mundo, el DFN0603. Nexperia ya ofrece dispositivos de protección ESD en este encapsulado, pero ahora ha conseguido incorporarlo a su cartera de MOSFETs, una hazaña que aún no tiene parangón en la industria.
Melexis presenta el pico-resolver MLX90381, que cumple con la norma AEC-Q100/ISO 26262 y ofrece facilidad de uso y fiabilidad para aplicaciones industriales y de automoción. Su minúsculo encapsulado DFN-6 (2 mm x 2,5 mm) permite la miniaturización mecatrónica con sensores. Esta solución, preparada para ASIL, es programable a nivel de módulo y es la más adecuada para la detección de la posición del rotor.
Melexis presenta el MLX90397, un dispositivo sensor de 3 ejes de 16 bits que tiene un rango de campo magnético que alcanza los 50mT (con un rango adaptativo en el eje z de hasta 200mT). El usuario puede elegir los campos a medir entre BX, BY, BZ, temperatura o una combinación. El elemento sensor se basa en la probada tecnología de efecto Hall 3D Triaxis®. Los datos capturados se convierten en forma digital y se transfieren a través de una interfaz I2C.
Renesas Electronics Corporation ha presentado las unidades de microprocesador (MPU) de control de motores RZ/T2M de más alto rendimiento para aplicaciones como servoaccionamientos de CA y robots industriales. La RZ/T2M combina las capacidades de control de motores en tiempo real, rápidas y muy precisas, y la última Ethernet industrial en un solo chip, al tiempo que soporta el funcionamiento de la seguridad funcional.
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor...
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un MOSFET de canal N de drenaje común de 12 V con una corriente nominal de 20 A, para su uso en circuitos de protección de baterías en paquetes de baterías de iones de litio (Li-ion), como los que se utilizan habitualmente en teléfonos...
Basada en la nueva microarquitectura Skylake, desarrollada con la tecnología de fabricación de Intel de 14nm, la 6ª generación de procesadores Intel Core ofrece hasta dos veces y media3 de rendimiento,
Renesas Electronics Corporation ha anunciado el desarrollo de tecnología de procesador embebido que permite mayores velocidades y menor consumo de energía en unidades de microprocesador (MPU) que implementan IA de visión avanzada. Las tecnologías desarrolladas son las siguientes:
Kionix, una compañía del Grupo ROHM, anuncia el KXTJ3, un nuevo acelerómetro triaxial que ofrece un valor sin precedentes y proporciona las prestaciones de un acelerómetro mucho más caro en un formato minúsculo de 2mm x 2mm x 0,9mm.
Kionix Inc., parte del grupo ROHM, ha anunciado recientemente los primeros acelerómetros ultrafinos plenamente funcionales de tres ejes de la industria, el KX112 (2x2x0,6mm) y KXCJB (3x3x0,45mm ).
Papel: 150,00 € (IVA incluido)
Recibirá las 10 ediciones que se publican al año.
España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.