el control de motores de corriente continua con escobillas y los interruptores de carga para líneas de alimentación en equipos de control de consumo e industriales.

El SSM6L826R utiliza el proceso UMOSVIIH de Toshiba para el MOSFET de canal N y el proceso UMOSVI para el MOSFET de canal P. Se presenta en un encapsulado TSOP6F compacto (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) con terminales planos para mejorar el rendimiento de montaje.

El dispositivo alcanza valores bajos de resistencia en estado activo (RDS(ON)) de 46 mΩ (max.) (VGS = 10 V) para el MOSFET de canal N y de 45 mΩ (máx.) (VGS = -10 V) para el MOSFET de canal P. Dado que los valores de RDS(ON) son prácticamente idénticos, las pérdidas por conducción se mantienen bien equilibradas, lo que ayuda a los diseñadores a simplificar el desarrollo de circuitos. Además, la integración de ambos tipos de MOSFET en un único encapsulado reduce el espacio en la placa de circuito impreso, el número de componentes y el coste de la lista de materiales (BOM).

Con el lanzamiento del SSM6L826R, Toshiba amplía su gama de MOSFET duales TSOP6F para incluir tres MOSFET duales de canal N, un MOSFET dual de canal P y dos MOSFET complementarios (N+P), lo que ofrece a los ingenieros una mayor flexibilidad a la hora de seleccionar el dispositivo óptimo para sus diseños.

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