Basado en la arquitectura propietaria Bidirectional Bipolar Junction Transistor (B-TRAN®), el nuevo componente ofrece capacidades de conmutación bidireccional nativas y una caída de tensión en conducción extremadamente reducida, permitiendo desarrollar sistemas más compactos y eficientes frente a soluciones convencionales basadas en MOSFETs o IGBTs.
Menores pérdidas y mayor eficiencia
Uno de los aspectos más destacados del nuevo dispositivo es su ultrabaja tensión de saturación en conducción, con valores típicos de apenas 0,56 V a 70 A y 25 °C, una característica especialmente relevante en aplicaciones donde la corriente circula durante largos periodos de tiempo.
Esta reducción de la caída de tensión se traduce directamente en menores pérdidas térmicas y una mejora sustancial de la eficiencia global del sistema. En aplicaciones de desconexión de baterías, contactores electrónicos o interruptores estáticos, donde el tiempo de conducción suele ser muy superior al tiempo de conmutación, el ahorro energético puede resultar significativo.
Conmutación bidireccional integrada
A diferencia de otras tecnologías de potencia que requieren múltiples dispositivos para bloquear y conducir corriente en ambos sentidos, el B-TRAN® incorpora esta funcionalidad de forma inherente. Esto permite reducir el número de componentes, simplificar la topología de potencia y disminuir tanto el tamaño como el coste de determinados sistemas electrónicos.
La capacidad de bloqueo alcanza los 1200 V, mientras que la corriente nominal se sitúa en 75 A, con capacidad de soportar pulsos de hasta 300 A, lo que amplía su utilización a aplicaciones industriales exigentes.
Diseño optimizado para alta densidad de potencia
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-264 aislado con refrigeración por ambas caras, una configuración orientada a maximizar la extracción térmica y facilitar diseños de elevada densidad de potencia. La resistencia térmica unión-carcasa se sitúa entre 0,10 y 0,12 K/W, contribuyendo a una gestión térmica más eficiente.
Además, el B-TRAN® presenta un coeficiente de temperatura positivo, característica que simplifica la conexión en paralelo de varios dispositivos y favorece un reparto uniforme de corriente entre ellos.
Aplicaciones objetivo
Ideal Power posiciona esta nueva generación de B-TRAN® para aplicaciones donde la eficiencia y la fiabilidad son prioritarias, incluyendo:
Interruptores automáticos electrónicos de corriente continua (DC Solid-State Circuit Breakers).
Interruptores estáticos para corriente alterna.
Sistemas de desconexión de baterías.
Contactores electrónicos de corriente continua.
Sistemas de transferencia automática de energía (Automatic Transfer Switches).
Estas aplicaciones están cobrando especial relevancia en sectores como almacenamiento energético, infraestructuras para energías renovables, centros de datos, microrredes eléctricas, movilidad eléctrica y sistemas industriales de distribución de potencia.
Hacia una nueva generación de interruptores de estado sólido
La introducción del modelo IPAD01208A04 representa un nuevo paso en la estrategia de Ideal Power para impulsar la adopción de la tecnología B-TRAN® en mercados donde la eficiencia energética y la reducción de pérdidas son determinantes.
Con una frecuencia de operación de hasta 10 kHz, baja inductancia y capacitancia parásitas, y una arquitectura específicamente optimizada para conmutación estática de alta eficiencia, el nuevo dispositivo se presenta como una alternativa innovadora para el desarrollo de la próxima generación de sistemas de protección y control de potencia.
Ficha técnica resumida
Tecnología: B-TRAN® (Bidirectional Bipolar Junction Transistor)
Tensión de bloqueo: 1200 V
Corriente nominal: 75 A
Corriente de pico: 300 A
Temperatura máxima de unión: 150 °C
Encapsulado: TO-264 aislado
Refrigeración: doble cara
Frecuencia de conmutación: hasta 10 kHz
Aplicaciones: interruptores estáticos, contactores DC, desconexión de baterías y sistemas de transferencia automática.
