Qorvo® presenta un nuevo encapsulado TO-leadless (TOLL) de montaje en superficie para sus FET de SiC de 750V de 5,4 miliohmios (mΩ) de alto rendimiento. Este es el primer producto de una familia de FET de SiC de 750 V que se lanzará en el encapsulado TOLL con RDS(on) que oscila entre 5,4 mΩ y 60 mΩ. Estos dispositivos son ideales para su uso en aplicaciones con limitaciones de espacio, como fuentes de alimentación de CA/CC de varios cientos de vatios a varios kilovatios, así como relés de estado sólido y disyuntores de hasta 100 A.

En la clase de FET de potencia de 600/750 V, los FET de SiC Qorvo Gen 4 ofrecen un rendimiento inigualable en los principales valores de resistencia a la conexión y capacitancia de salida. Además, en el encapsulado TOLL, con 5,4 mΩ, los dispositivos tienen una resistencia a la conexión entre 4 y 10 veces menor que los mejores MOSFET de Si, MOSFET de SiC y transistores de GaN de su clase. El valor nominal de 750 V de los FET de SiC es también 100-150 voltios superior al de las tecnologías alternativas, lo que proporciona un margen de diseño significativamente mayor para gestionar los transitorios de tensión.

Anup Bhalla, ingeniero jefe de la división Power Devices de Qorvo, ha declarado: "El lanzamiento de nuestros FET de SiC Gen4 de 5,4 mΩ en envase TOLL es un paso importante en nuestro objetivo de ofrecer a los diseñadores las mejores prestaciones del sector y múltiples opciones de dispositivos. Los clientes que trabajan en aplicaciones industriales en particular necesitan esta combinación de flexibilidad y diseño de potencia rentable."

El encapsulado TOLL ocupa un 30% menos de espacio y, con 2,3 mm, es la mitad de alto que las alternativas comparables de montaje superficial D2PAK. A pesar de la reducción de tamaño, las avanzadas técnicas de fabricación consiguen una resistencia térmica de 0,1° C/W de la unión a la carcasa, líder del sector. La corriente continua nominal es de 120 A hasta 144 C de temperatura de la carcasa, mientras que la corriente pulsada nominal es de 588 A hasta 0,5 milisegundos. En combinación con la resistencia de conexión ultrabaja y el excelente comportamiento térmico transitorio, se obtiene una clasificación "I2t" unas 8 veces mejor que la de un MOSFET de Si en el mismo encapsulado, lo que contribuye a la robustez y la inmunidad a las sobrecargas transitorias, al tiempo que simplifica el diseño. El encapsulado TOLL también incluye una conexión de fuente Kelvin para una conmutación fiable a alta velocidad.

Estos FET de SiC Gen4 aprovechan la configuración de circuito en cascada de Qorvo, en la que un JFET de SiC se combina con un MOSFET de Si para producir un dispositivo con todas las ventajas de eficiencia de la tecnología de conmutación de banda prohibida ancha y el accionamiento de puerta más sencillo de los MOSFET de silicio.

El FET SiC Gen4 de 5,4 mΩ empaquetado en TOLL de Qorvo se incluye en la calculadora en línea gratuita FET-Jet^TM de Qorvo, que permite la evaluación instantánea de la eficiencia, las pérdidas de los componentes y el aumento de la temperatura de unión de las piezas utilizadas en una amplia variedad de topologías de convertidores CA/CC y CC/CC aislados/no aislados. Los dispositivos individuales y en paralelo pueden compararse en condiciones de disipación térmica especificadas por el usuario para determinar una solución.