La serie es adecuada para controlar MOSFET de SiC e IGBT en aplicaciones de energía verde y automatización industrial, incluidos inversores fotovoltaicos industriales (FV), sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y estaciones de carga de vehículos eléctricos (VE), que funcionan en entornos térmicos adversos.

Los tres dispositivos de la serie TLP579xH están diseñados para controlar dispositivos de potencia de pequeña y mediana capacidad, así como IGBT. El TLP5791H tiene un rendimiento de -1,0/+1,0 A para la corriente de salida de pico de alto nivel/bajo nivel (IOLH/IOHL), con un umbral de bloqueo por subtensión (UVLO) ampliado (VUVLO+) de 9,5 V (max.), un umbral de bloqueo por subtensión (VUVLO-) de 7,5 V (min.) y un voltaje de histéresis UVLO (VUVLOHYS) de 0,5 V (típ.).

Con el TLP5794H, la corriente de salida máxima abarca desde -6,0/+4,0A para IOLH/IOHL, con VUVLO+ de 13,5 V (max.), un VUVLO- de 9,5 V (min.), y VUVLOHYS de 1,5V (typ.).

El TLP5795H es capaz de -4,5/+5,3A para la corriente de salida de nivel alto/bajo (IOLH/IOHL), con VUVLO+ de 13,5 V (max.), un VUVLO- de 11,1 V (mín.), y VUVLOHYS de 1,0 V (típ.).

El tiempo de retardo de propagación presenta una baja dependencia de la temperatura, lo que permite un funcionamiento estable dentro del rango práctico definido por los equipos de automatización industrial. Además, la serie TLP579xH es un dispositivo de salida rail-to-rail que permite características de conmutación con menos caída de tensión desde la tensión de alimentación. Esta capacidad es útil en aplicaciones que requieren que los circuitos funcionen a bajas tensiones o que procesen señales en todo el rango de tensiones de alimentación.

Además, Toshiba ha mejorado la salida de luz del diodo emisor de luz infrarroja (LED) del lado de entrada y ha optimizado el diseño del elemento receptor de luz (matriz de fotodiodos) del dispositivo en comparación con la gama actual. Estas mejoras aumentan la eficiencia del acoplamiento óptico del producto, lo que le permite funcionar en un rango de temperatura desde -40 °C a +125 °C. Toshiba también ha estandarizado el tiempo de retardo de propagación y la desviación del retardo de propagación dentro de este rango de temperaturas de funcionamiento.

La serie TLP579xH se presenta en un pequeño encapsulado SO6L, lo que contribuye a mejorar la flexibilidad en la colocación de los componentes en la placa de circuito impreso. Además, los nuevos productos cuentan con una distancia mínima de fuga de 8,0 mm y una tensión de aislamiento de 5000 VRMS, lo que permite su uso en equipos que requieren un alto rendimiento de aislamiento.

Para obtener más información sobre la serie TLP579xH de fotocopladores para controladores de puerta, visite el sitio web de Toshiba:
TLP5791H 
TLP5794H
TLP5795H 
Toshiba seguirá desarrollando y ampliando su gama de optoacopladores para aplicaciones de control de puertas MOSFET e IGBT en equipos industriales, con nuevos productos previstos para finales de 2025.

Para conocer las precauciones y consejos de uso de una fuente de alimentación con polarización negativa de la puerta, consulte la nota de aplicación "Gate Drive Coupler Notes on using power device gate negative bias power supply". («Optoacopladores para control de puertas: Notas sobre el uso de fuentes de alimentación con polarización negativa de la puerta en dispositivos de potencia».)