Cambridge GaN Devices (CGD), la empresa de semiconductores de tecnología limpia sin fábrica que desarrolla una gama de dispositivos de potencia basados en GaN, energéticamente eficientes para hacer posible una electrónica más ecológica, ha firmado un acuerdo con IFP Energies nouvelles (IFPEN), una importante organización pública francesa de investigación y formación en los campos de la energía, el transporte y el medio ambiente, para desarrollar un innovador inversor de automóvil utilizando dispositivos GaN avanzados.

DR, GIORGIA LONGOBARDI | COFUNDADOR Y CEO, CGD
"La innovación tecnológica es fundamental en todas las actividades del IFPEN. Por lo tanto, estamos particularmente entusiasmados de que el IFPEN haya elegido los HEMT GaN ICeGaN™ de CGD en este nuevo diseño de inversor de automoción. El IFPEN también comparte la creencia de CGD de que las asociaciones estrechas con actores clave son esenciales para el éxito de cualquier proyecto, por lo que estamos orgullosos de formar parte de este programa."

GAËTAN MONNIER, DIRECTOR BU DE MOVILIDAD | IFPEN
"Esta asociación con CGD es un elemento clave para nuestras futuras actividades en electrónica de potencia para e-movilidad, específicamente para la próxima generación de inversores donde se requiere un paso tecnológico para reducir el tamaño y aumentar los niveles de densidad de potencia al tiempo que se desafía el coste. Contamos con la cooperación con esta empresa joven y dinámica, extremadamente innovadora, para abordar los ambiciosos retos críticos para el futuro de las industrias de e-movilidad."

La asociación entre IFPEN y CGD combina dos áreas de experiencia altamente complementarias. El IFPEN conoce el mercado de la automoción y sus objetivos de rendimiento. IFPEN posee una sólida posición en el desarrollo de inversores y software, con un profundo conocimiento de los algoritmos y equipos necesarios. La tecnología GaN de CGD ha dado lugar a la primera familia de HEMT GaN de 650 V fácil de usar y escalable de la industria. La serie ICeGaN™ H1 de la empresa son dispositivos HEMT eMode monochip que pueden controlarse como un MOSFET, sin necesidad de controladores de puerta especiales, circuitos de control complejos y con pérdidas, requisitos de alimentación de tensión negativa ni componentes de sujeción adicionales. Los HEMT ICeGaN no requieren una estructura en cascada, ni complejas configuraciones multichip, ni soluciones integradas térmicamente complejas. En su lugar, son una solución de un solo chip con lógica propia incorporada que permite el acoplamiento con controladores o controladores de puerta estándar. Los dispositivos son extremadamente fiables y adecuados para entornos de aplicación exigentes, como los del mercado de la automoción.

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