En la feria profesional del sector electrónico más importante del mundo, electronica de Múnich (8-11 de noviembre de 2016/Pabellón A5-Stand 542) ROHM Semiconductor dará a conocer sus soluciones de vanguardia para gestión de alimentación, dirigidas a numerosas aplicaciones en el ámbito del automóvil, la industria y residencial/hogar. Estos dispositivos, que utilizan las tecnologías más avanzadas de SiC y Si, así como procesos y encapsulados propios, maximizan la eficiencia y miniaturización, facilitan la reducción de coste y el número de componentes además de proporcionar unas prestaciones óptimas. Gracias a la combinación de los conocimientos especializados de ROHM en tecnología de potencia analógica y digital, representan los desarrollos más avanzados de los centros globales de I+D de ROHM así como los diseños realizados de manera conjunta gracias a acuerdos industriales. Todos estos productos se fabrican en los centros de producción integrados verticalmente y pertenecientes por completo a la propia compañía. Entre los principales productos se encuentran MOSFET de SiC de 3ª generación, diodos y módulos de barrera Schottky, controladores de LED para iluminación exterior y kits de diseño para alimentación inalámbrica, además del acuerdo tecnológico con Venturi, que desarrolla coches de Fórmula E.

Productos destacados:

Tecnología SiC – MOSFET de SiC, diodos de barrera Schottky y módulos de 3ª generación
La nueva generación de MOSFET de SiC de ROHM, que utiliza una estructura propia de puerta de doble zanja, reduce la resistencia en conducción en un 50% y la capacidad de entrada en un 35% para un chip del mismo tamaño si se comparan con los MOSFET de SiC de tipo planar. Sus óptimas prestaciones se consiguen al combinar unas pérdidas extremadamente bajas y la conmutación a alta velocidad. Como resultado de ello se mejora la eficiencia de conversión, lo cual contribuye a aumentar el grado de miniaturización y la reducción de peso, así como a incrementar enormemente la eficiencia energética.

Los diodos de barrera Schottky de SiC de 3ª generación consiguen la tensión directa (VF) más baja y la corriente inversa de fuga (lR) más baja para todo el rango de temperatura entre todos los diodos de barrera Schottky actualmente disponibles en el mercado. Además se caracterizan por su capacidad para aceptar sobrecorrientes elevadas, que resulta ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación. Además de los dispositivos TO220AC recientemente anunciados a 650V/6, 8 y 10A, ROHM presentará dispositivos D2pak de 2A y 4A que se añadirán a la familia. Entre los nuevos módulos completos de SiC de ROHM se encuentran un módulo de tipo chopper para convertidores que integra MOSFET Trench de SiC de y diodos de barrera Schottky de SiC.

Iluminación LED para el exterior del automóvil
La amplia gama de controladores de LED de ROHM está destinada a numerosas aplicaciones en el automóvil, tanto para iluminación interior como exterior. Luces delanteras de LED de haz largo/corto, luces delanteras de LED de matriz/píxel e intermitentes secuenciales dinámicos representan los últimos desarrollos en iluminación exterior. La compañía suministra controladores de LED para luces traseras y luces diurnas. Varios ejemplos de aplicación demuestran sus ventajas, por ejemplo una demostración de haz largo/corto, un ejemplo de DRL, una luz delantera de matriz y finalmente dos controladores de matriz diferentes para un sistema de giro secuencial (un controlador autónomo de matriz y un controlador de matriz con microcontrolador).

Kit de diseño de media potencia para aplicaciones de carga inalámbrica en colaboración con Würth Elektronik
El interés en la tecnología de alimentación inalámbrica está creciendo con rapidez ya que ofrece una manera sencilla, práctica, fiable y segura de cargar y alimentar dispositivos electrónicos, por ejemplo teléfonos móviles y otros dispositivos portátiles, en el hogar, el coche y el lugar de trabajo. ROHM Semiconductor es un líder tecnológico con una completa familia de productos dirigidos a aplicaciones de baja y media potencia con soluciones basadas en el estándar Qi. Como muestra de sus soluciones de media potencia con certificación Qi, ROHM ofrece en colaboración con Würth Elektronik un kit de diseño que demuestra las ventajas de la carga inalámbrica. Éste ofrece a los ingenieros la oportunidad de comprobar e integrar soluciones de alimentación inalámbrica en sus aplicaciones y de acelerar la adopción de la nueva tecnología en aplicaciones de potencia. El kit se ha diseñado siguiendo la especificación Qi 1.2 del Wireless Power Consortium (WPC) como estándar de próxima generación para una transmisión rápida y segura de potencia inductiva.

Acuerdo tecnológico con Venturi Formula E
Tras el acuerdo técnico recientemente anunciado con Venturi, que participa en el campeonato Fórmula E de la FIA para todos los monoplazas de carreras totalmente eléctricos, ROHM exhibirá el coche y su inversor como ejemplo de aplicación para demostrar los avances en movilidad eléctrica. Según los términos del acuerdo, el coche eléctrico Venturi incorporará dispositivos de SiC. A partir de la tercera temporada, este vehículo incluirá diodos de barrera Schottky de SiC fabricados por ROHM en su sistema inversor. El objetivo es aumentar de forma significativa las prestaciones del sistema de propulsión aprovechando las características del SiC para mejorar la eficiencia energética e incrementar la densidad de potencia.

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