Conseguir un menor consumo de energía y a la vez un tamaño menor de fuente de alimentación o dispositivo son retos a los que se enfrentan habitualmente los diseñadores. El nitruro de galio (GaN) promete dar respuesta a estas necesidades gracias a su baja resistencia de conducción y a una capacidad de conmutación más rápida en comparación con los dispositivos basados en silicio.

Con la serie EcoGaN™, ROHM Semiconductor ofrece a los diseñadores una amplia cartera de componentes de GaN para atender todas sus necesidades: ya sean HEMT de GaN discretos (150 V o 650 V), gate drivers optimizados, otros controladores o dispositivos de etapa de potencia integrados.

La tecnología EcoGaN™ de ROHM puede reducir de modo efectivo el volumen de componentes en un 90 % y las pérdidas de potencia hasta en un 55 % en comparación a los MOSFET de silicio. Se necesitan menos componentes pasivos gracias a la capacidad de conmutación mucho mayor del dispositivo de GaN. La serie ha sido diseñada para facilitar el uso: los dispositivos de GaN en modo de mejora, es decir, «normalmente apagados», proporcionan la mejor tensión nominal puerta-fuente de su categoría (clase de 150 V) disponible dentro de un encapsulado de alta disipación de calor y baja inductancia parásita. Con el factor de mérito (FOM, por su sigla en inglés) más alto de la industria, protección integrada contra descarga electrostática (clase de 650 V) e inductancia de fuga minimizada, los componentes EcoGaN™ permiten miniaturizar el sistema y reducir el consumo de energía.

En la PCIM 2024 (que se celebra del 11 al 13 de junio en Nuremberg, Alemania) en el estand 304 del pabellón 9, ROHM no solo exhibe la serie EcoGaN™. ROHM también presentará otros productos destacados como la 4ª Gen. de MOSFET de SiC, gate drivers y dispositivos de potencia inteligentes de lado bajo. Los productos de potencia de ROHM están diseñados para satisfacer las necesidades en constante evolución de diversos sectores y, de este modo, para contribuir a un futuro más sostenible

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