Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo MOSFET de potencia de canal N de 150V que utiliza el proceso U-MOSX-H de última generación para reducir las pérdidas. Además, se han reducido los picos de tensión entre el drenaje y la fuente durante la conmutación, mejorando así el rendimiento EMI dentro de las fuentes de alimentación conmutadas.

El nuevo dispositivo es adecuado para una amplia gama de aplicaciones, como las fuentes de alimentación conmutadas en equipos industriales, incluidas las aplicaciones en estaciones base de comunicaciones y centros de datos.

El nuevo MOSFET TPH9R00CQH tiene una resistencia de activación de fuente de drenaje (RDS(_ON)) muy baja, de solo 9.0mΩ (max. @ VGS=10V). Esto representa una reducción de aproximadamente el 42% en comparación con el producto existente de 150V (TPH1500CNH) que se basa en el proceso U-MOSVIII-H de la generación actual. Las cifras de mérito (FoM) clave, incluyendo RDS(_ON) x QSW y RDS(_ON) x QOSS se han reducido en aproximadamente un 20% y un 28% respectivamente, mejorando así el rendimiento.

Mediante una cuidadosa optimización de la estructura del dispositivo se han mejorado las características de carga. Con una carga total de puerta (Qg) de sólo 44nC y una carga de conmutación de puerta (QSW) de 11,7nC, el dispositivo ofrece un excelente rendimiento, especialmente en aplicaciones de alta velocidad.

El nuevo TPH9R00CQH ofrece dos opciones de encapsulado de montaje superficial (SMD): SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) y SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm) que pueden seleccionarse para satisfacer las necesidades de cualquier aplicación.

Más información