Cambridge GaN Devices (CGD) ha lanzado la segunda serie de su familia de HEMT de nitruro de galio ICeGaN™ 650 V, que ofrece una robustez, facilidad de uso y máxima eficiencia líderes en el sector. Los HEMT ICeGaN de la serie H2 emplean la interfaz de puerta inteligente de CGD que elimina prácticamente las debilidades típicas del GaN en modo e, ofreciendo una robustez de sobretensión significativamente mejorada, un umbral inmune al ruido más alto, supresión dV/dt y protección ESD.

Al igual que los dispositivos de la generación anterior, los nuevos transistores ICeGaN H2 de 650 V se accionan de forma similar a los MOSFET de Si, lo que elimina la necesidad de circuitos complejos e ineficientes, utilizando en su lugar los controladores de puerta disponibles en el mercado. Por último, los HEMT ICeGaN H2 presentan un QG 10 veces inferior al de las piezas de silicio y un QOSS 5 veces menor, lo que permite a los HEMT ICeGaN H2 reducir enormemente las pérdidas de conmutación a altas frecuencias de conmutación, disminuyendo el tamaño y el peso. El resultado es una eficiencia líder en su clase, un 2% superior a la de los mejores MOSFET de Si de la industria en aplicaciones SMPS.

GIORGIA LONGOBARDI | DIRECTOR GENERAL Y COFUNDADOR, CGD:  "CGD ha establecido una innovadora posición de liderazgo con la serie H2 de ICeGaN. Una investigación independiente de Virginia Tech ha demostrado que los ICeGaN son los dispositivos GaN más robustos de la industria y, en términos de facilidad de uso, pueden controlarse como un MOSFET de silicio estándar, por lo que se elimina la curva de aprendizaje que puede ralentizar la aceptación en el mercado. La eficiencia del GaN es bien conocida, e ICeGaN es impresionante en todo el rango de carga".

La serie H2 de ICeGaN incorpora un innovador circuito NL3 (sin carga y con carga ligera), integrado en el chip junto con el interruptor de GaN, que da como resultado unas pérdidas de potencia récord. Una avanzada estructura de fijación con pinza Miller integrada, también en el chip, elimina la necesidad de tensiones negativas en la puerta, consiguiendo una verdadera desconexión a cero voltios y mejorando el rendimiento dinámico RDS(ON). Estos HEMT de GaN de un solo chip en modo e (normalmente apagado) incluyen una interfaz y un circuito de protección integrados monolíticamente para una fiabilidad de puerta y una simplicidad de diseño inigualables. Por último, una función de detección de corriente reduce la disipación de potencia y permite la conexión directa a tierra para optimizar la refrigeración y la EMI.

GIORGIA LONGOBARDI | CEO Y COFUNDADORA, CGD: "CGD ha resuelto todos los retos que normalmente ralentizan la adopción de una nueva tecnología. Además, ahora estamos preparados para satisfacer el mercado de masas con nuestros transistores ICeGaN de la serie H2, que están disponibles a través de una cadena de suministro establecida."

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