Mouser ya tiene en stock los transistores de nitruro de galio (GaN) GS-065-060 650 V de automoción de GaN Systems. Disponibles en paquetes con refrigeración por arriba y refrigeración por debajo, los transistores GS-065-060 650 V presentan un diseño de celda con tecnología de isla para una matriz de alta corriente y un alto rendimiento. Estos transistores ofrecen una baja resistencia térmica entre la junta y la carcasa y una conmutación de potencia de alta eficiencia, lo que los convierte en una solución fiable para cargadores de a bordo, conversores CC-CC, inversores solares y accionamientos de motores industriales.

Los transistores GS-065-060 son transistores de potencia en modo de mejora de 650 V con requisitos de accionamiento de puerta sencillos que oscilan entre 0 V y 6 V. Los transistores presentan una alta frecuencia de conmutación de más de 10 MHz, con tiempos de subida y bajada rápidos y controlables. Estos productos presentan un paquete GaNPX® de baja inductancia y baja resistencia térmica. Los transistores también ofrecen capacidades de conducción inversa y con cero pérdidas de recuperación inversa, lo que proporciona un rendimiento eficiente para aplicaciones exigentes de alta potencia. Los GS-065-060 disponen de dos almohadillas de puerta para un diseño óptimo de la placa y cumplen la directiva RoHS 3.

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