International Rectifier, IR® presenta su familia de alta versatilidad formada por los controladores PWM digitales CHiL, que reducen enormemente la huella y mejoran la eficiencia en una gran variedad de aplicaciones de nivel medio, alto y extremo en servidores, ordenadores de sobremesa e informática. Los seis nuevos dispositivos de IR cumplen las especificaciones VR12 y VR12.5 de Intel, así como SVI1 y SVI2 de AMD, y ofrecen soporte para diseños multifase de 1 a 8 fases que funcionen con 1 o 2 bucles.

Estos dispositivos CHiL de tercera generación ofrecen funciones de caracterización de la eficiencia como apagado de fase y control de puerta variable con algoritmos mejorados como escalado PID (para apagado de fases) y equilibrio de la corriente de fase para garantizar la máxima eficiencia. La arquitectura de la solución ofrece soporte a los transitorios di/dt extremadamente altos propios de los procesadores de gama alta, y como resultado del nuevo algoritmo ATA (Adaptive Transient Algorithm), los transitorios se pueden controlar con menos fases y menos condensadores para minimizar el tamaño del sistema.

Los nuevos controladores PWM digitales CHiL ofrecen una reducción del 30% de la corriente de trabajo para ayudar a cumplir los objetivos de mayor eficiencia con cargas pequeñas. Para la protección de circuitos de gama alta los dispositivos ofrecen protección mejorada para limitación de corriente pulso a pulso y control de la anchura de pulso con una nueva función de protección frente a fallos por desequilibrio de fase o pérdida de fase.
Los dispositivos ofrecen un soporte total a la duplicación de fase utilizando el IR3598 de IR para controlar dos fases desde cada salida PWM. Los dispositivos también detectan fuentes de 12V, 5V y 3,3V sin secuenciado especial e incorporan telemetría PMBUS.

Cuando se diseña junto con los MOSFET de potencia DirectFET® y los dispositivos integrados PowIRstage® de IR, la línea de productos CHiL permite disponer de soluciones de tamaño más reducido al combinar los avances en cuanto a densidad de DirectFET y PowIRstage. La naturaleza eminentemente digital de estos dispositivos permite lograr soluciones con un número de patillas extremadamente bajo en un encapsulado QFN con paso de 0,4mm y una respuesta mejorada ante transitorios que elimina al menos un voluminoso condensador SP y numerosos condensadores cerámicos para ofrecer la solución de menor tamaño y más eficiente.

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