Circuitos integrados

JFET de SiC con mínimas pérdidas de conmutación

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SemiSouth Laboratories, Inc., fabricante líder de tecnología de transistores de carburo de silicio (SiC) para aplicaciones de alta potencia, alta eficiencia, gestión de potencia en entornos agresivos y de conversión, ha lanzado el SJDP120R340, un JFET de zanja de SiC, que, cuando se compara con los MOSFET de silicio, permite mayores velocidades de conmutación y pérdidas sustancialmente más bajas.


JFETdeSICDe tensión nominal de 1200V y con una resistencia máxima en estado de conducción 340 mW (valor típico RDSon de 270 mW), estos JFET cuentan con un coeficiente de temperatura positivo para la conmutación en paralelo y extremadamente rápida sin corriente de cola a 150ºC. Las aplicaciones clave incluyen microinversores fotovoltaicos, SMPS y SAIs, unidades de control de motor, y calentamiento por inducción.

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