International Rectifier presenta el CI driver doble en el lado de bajo potencial (low-side) de alta corriente AUIRB24427S para aplicaciones de fuentes conmutadas utilizadas en vehículos híbridos, vehículos eléctricos y convertidores industriales de alta potencia.

El AUIRB24427S suministra una corriente de salida muy elevada que supera los 6A por canal para todo el rango de temperaturas y está diseñado para el control de las puertas de IGBT y MOSFET de gran tamaño en módulos o encapsulados discretos. Debido a la impedancia de salida extremadamente baja del dispositivo en modo de paso a conducción y a corte, las pérdidas de potencia también son muy bajas, lo cual permite su funcionamiento en entornos adversos y con altas temperaturas, como las etapas de alimentación en vehículos híbridos, bien sea como driver primario o secundario.
 
El AUIRB24427S, que se suministra en un sencillo encapsulado PSOIC-8N y presenta una disipación de potencia ultrabaja, resuelve el problema que representa controlar de manera efectiva los IGBT y MOSFET de gran tamaño utilizados en aplicaciones de fuentes conmutadas y proporciona una solución más pequeña, sencilla y robusta que las soluciones discretas existentes actualmente en el mercado.
 
El AUIRB24427S se suministra en un encapsulado PSOIC-8N térmicamente mejorado que proporciona una disipación térmica mucho mayor que los encapsulados DIL SMD estándar, permitiendo así su funcionamiento con una temperatura ambiente considerablemente más elevada. Además, la etapa de salida rail-to-rail, que utiliza MOSFET de canal P en el lado de alto potencial (high-side), permite una baja tensión de caída interna para reducir la disipación de potencia. El AUIRB24427S también presenta una resistencia máxima de salida de 650 mOhm para consumo y fuente a 125°C.

Este dispositivo homologado para el automóvil no contiene plomo y es conforme a RoHS.

Más información o presupuesto