Toshiba Electronics Europe ha anunciado el desarrollo de una nueva generación de proceso optimizado TarfSOI ™ (SOI RF de Toshiba avanzado) para aplicaciones de conmutación de radio-frecuencia (RF).

CIs de conmutación RF, fabricados utilizando el nuevo proceso TaRF8 como el nuevo proceso SP12T ^[1] alcanzando la pérdida de inserción más baja ^[2] de su clase _[3] en la industria. El envío de muestras de circuitos integrados de conmutación RF SP12T fabricados con el nuevo proceso, se iniciará en enero 2016.

Diseñado para su uso en teléfonos inteligentes, el CI conmutador RF SP12T cuenta con controlador MIPI-RFFE ^[4] integrado para aplicaciones móviles. El dispositivo es adecuado para su uso en dispositivos compatibles con los estándares 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE y LTE-Advanced ^[5].

Los productos que utilizan el nuevo proceso TaRF8 SOI CMOS ^[6] front-end, alcanzan la pérdida de inserción más baja de su clase en la industria, 0,32 dB a 2,7 GHz. En comparación con productos utilizando el proceso de corriente TaRF6 de Toshiba, la pérdida de inserción mejora 0,1 dB mientras que mantiene el mismo nivel de características de distorsión.

Con la tendencia hacia la alta velocidad de datos en las comunicaciones móviles, las transferencias de datos de alta capacidad, circuitos integrados de conmutación RF utilizados en dispositivos móviles y teléfonos inteligentes, requieren soporte multi-puerto y rendimiento mejorado RF. La reducción de la pérdida de inserción está reconocida como un factor particularmente importante en esto, ya que disminuye la pérdida de potencia de transmisión RF, que puede soportar una mayor duración de batería para dispositivos móviles.

Toshiba está desarrollando circuitos integrados conmutadores de RF de alto rendimiento que utilizan fabricación in-house para aplicar la tecnología SOI CMOS, que es adecuado para la integración de circuitos analógicos y digitales. Al manejar todos los aspectos del flujo de producción, desde el desarrollo de la tecnología de proceso RF hasta el diseño y fabricación de los chips de conmutación RF, Toshiba puede mejorar rápidamente la tecnología de proceso SOI CMOS en respuesta a la respuesta de los resultados de desarrollo de sus propios CI conmutadores de RF. Este enfoque IDM (Integrated-Device-Manufacturer) permite a Toshiba establecer rápidamente nuevas tecnologías de procesos adaptados a los productos actuales y entrar en el mercado con productos fabricados con la última tecnología de proceso.

Toshiba continuará mejorando el rendimiento de su tecnología de proceso TarfSOI y trabajando para satisfacer las necesidades del cliente y del mercado, en los circuitos integrados de conmutadores de RF, mediante la introducción de productos de tecnología de última generación antes que otros fabricantes.
 
Notas:
[1] Conmutador Unipolar Twelwe Throw
[2] En el mercado de CIs conmutadores de RF a partir del 20 de noviembre de 2015. encuesta Toshiba
[3] Pérdida de potencia que se produce cuando una señal de RF es transmitida a través del conmutador, expresada en decibelios (dB).
[4] Una especificación de interfaz de bus serie para el control de componentes RF para dispositivos móviles, normalizado por el grupo de trabajo Frontend RF (RFFE) de la alianza MIPI (Mobile Industry Processor Interface) MIPI Alliance.
[5] estándares de comunicación móviles especificados por el 3GPP (3rd Generation Partnership Project).

[6] Tecnología para reducir la capacitancia parásita mediante el uso de una capa de aislamiento bajo el canal del MOSFET. SOI: silicio sobre aislante

* TarfSOI es una marca comercial de Toshiba Corporation.

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