Toshiba Electronics Europe ha anunciado la introducción de dos nuevos MOSFET "2 en 1": el SSM6L61NU y el SSM6N61NU.

Estos MOSFET, que se alojan en encapsulados compactos SOT-1118 (UDFN6), cuentan con una excelente disipación de calor y baja ON-resistance de drenaja de dispositivo [RDS (ON) = 25 mΩ (típ.) @ N-ch, VGS = 4,5 V]. Estas características los hacen adecuados para su uso como conmutadores de gestión de potencia y convertidores DC-DC, en varios dispositivos móviles, como teléfonos inteligentes y tabletas. El SSM6L61NU y SSM6N61NU también se pueden utilizar en aplicaciones de gestión de la batería y para la conmutación de carga en aplicaciones con interfaces USB tipo C.
Con N-CH ON-resistance de 25 mΩ líder de la industria[1], los nuevos MOSFET contribuyen a la reducción de pérdida de potencia en las fuentes de alimentación y amplían el tiempo de funcionamiento de los dispositivos alimentados ​​por batería. El SSM6L61NU es un dispositivo complementario y el SSM6N61NU es un dispositivo doble N-ch. Cuando se utiliza en aplicaciones con USB Tipo C interactúa el SSM6L61NU y el SSM6N61NU se pueden colocar entre el Vout (voltaje de salida) del CI gestor de potencia y el SoC, o en otras partes del circuito.
Un paquete encapsulado, que mide tan sólo 2 mm x 2 mm, mejora el ratio de disipación de potencia (PD = 1 W) y reduce la huella de los MOSFETs en un 50%, cuando se compara con los alojados en un encapsulado PS-8.

[1] En comparación con un N-ch de un producto encapsulado UDFN6, según una encuesta realizada por Toshiba (a noviembre de 2015).

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