ROHM Semiconductor presenta su 3ª generación de MOSFET de SiC, diodos Schottky de SiC y módulos de SiC. Los nuevos dispositivos cubren con éxito las necesidades de suministro eficiente de energía y son soluciones clave para reducir las pérdidas durante la conversión de potencia.

ROHM está produciendo actualmente de forma masiva los primeros MOSFET de SiC de tipo zanja del mercado. La nueva generación de MOSFET de SiC de ROHM reduce la resistencia en conducción en un 50% en todo el rango de temperatura y la capacidad de entrada en un 35% para un chip del mismo tamaño si se compara con los MOSFET de SiC de puerta plana. Sus óptimas prestaciones se consiguen al combinar bajas pérdidas y conmutación a alta velocidad. Esto disminuye el tamaño de componentes periféricos como bobinas y condensadores gracias a la mayor frecuencia de conmutación. Como resultado de ello se mejora la eficiencia de conversión, lo cual ayuda a la miniaturización, la reducción de peso y la mayor eficiencia energética. Los nuevos MOSFET de SiC de 1200V de la serie SCT3080KL en encapsulado TO-247 son un ejemplo perfecto.

ROHM ofrecerá además MOSFET de SiC homologados por AECQ y basados en la serie plana de 2ª generación.

Diodos Schottky de SiC de 3ª generación
La 3ª generación de diodos Schottky de SiC consigue la tensión directa (VF) más baja y la corriente inversa de fuga (lR) más baja para todo el rango de temperatura entre todos los diodos Schottky de SiC actualmente disponibles en el mercado. Además se caracterizan por su capacidad para manejar sobrecorrientes elevadas, lo cual es ideal para aplicaciones en fuentes de alimentación. Junto a los dispositivos TO220AC de 650V/6, 8 y 10A recientemente anunciados, ROHM añadirá dispositivos D2PAK y TO220FM que también añaden opciones de menor corriente de 2A y 4A a esta familia.
Los diodos de SiC ofrecen un tiempo de recuperación inversa extremadamente corto si se compara con los dispositivos basados en silicio, lo cual hace que sean ideales para conmutación a alta velocidad.
En general, estas características contribuyen a la continua tendencia en aumento de la eficiencia, la densidad de potencia y la robustez en los diseños.

Módulos de SiC completos de tipo troceador (chopper)
Los nuevos módulos de SiC completos de ROHM, incluyendo los módulos de tipo troceador (chopper) para convertidores, integran MOSFET de SiC de zanja y diodos Schottky de SiC producidos de forma masiva. Además de los módulos de tipo 2 en 1 se han preparado módulos de tipo troceador de 1200V/120A, 180A y 300A para cubrir los requisitos del mercado. ROHM también está trabajando en un nuevo módulo de potencia con una inductancia parásita más baja.

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