En la feria Electronica 2010 celebrada en Munich del 9 al 12 de noviembre, Slobodan Puljarevic, Presidente & CEO de EBV junto a otros miembros  de la empresa entre los que se encontraban Antonio Fernández, Manager de segmento vertical para EMEA para Energías renovables de EBV, Bernd Schlemmer, Director de comunicaciones de EBV, Frank-Steffen Russ, Director de segmento vertical EMEA para automoción de EBV y Klaus Schlund, Director de Marketing técnico de EBV, presentó los primeros desarrollos del programa EBV Chips.

Slobodan Puljarevic aclaró que cada chip desarrollado será único en el mercado para no competir con otros productos distribuidos por EBV.
Todos los chips después de testeados serán vendidos a todo el mundo por todo el grupo AVNETGENESIS.

Módulo IGBT con diodos SiC para inversores fotovoltaicos en zonas residenciales

GENESIS es una completa etapa de potencia integrada en un módulo para inversores fotovoltaicos de una sola fase. Con valores nominales de 50 A y 600 V, este módulo IGBT de tecnología Trench está destinado a usos residenciales (2,5 a 6 kVA).

Los mejores semiconductores están integrados dentro del módulo: IGBTs para el mejor compromiso entre la conducción y las pérdidas de conmutación, diodos de carburo de silicio  (SiC) para reducir las pérdidas de conmutación y mejorar las EMI y los diodos de silicio FRED  para potenciar el bypass en altos voltajes de entrada y protección contra conexión inversa de la cadena de panel.

GENESIS implementa una topología de potencia flexible, probada y fácil de usar: una etapa de impulso que soporta el punto de máxima potencia de seguimiento de la cadena fotovoltaica seguido por un puente de una sola fase para la conversión de potencia AC/DC. Los diseñadores pueden evitar problemas de montaje y temperatura de los semiconductores discretos usando el módulo Génesis con mejoras en la fiabilidad, rendimiento y tiempo de fabricación.

GENESIS está utilizando el popular encapsulado Econo2. Es un encapsulado estándar con la base de cobre ampliamente aceptado con una fiabilidad probada en miles de aplicaciones industriales. Con la última tecnología en semiconductores integrada que utiliza técnicas de baja inductancia parásita de diseño, GENESIS ofrece una ruta de migración sencilla de actualización para los clientes que ya utilizan módulos sixpack econo en inversores monofásicos que se beneficiarán del aumento de la eficiencia y baja EMI.

Características:
•    Tecnología IGBT Trench de bajo  VCE (on).
•    Tecnología de diodo de carburo de silicio.
•    Diodo FRED Pt® 1.0.
•    Capacidad de cortocircuito 5 µs.
•    RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) de cuadrado completo.
•     Coeficiente de temperatura positivo de VCE (on).
•    Diseño de baja inductancia parásita.
•    Velocidad de 4 kHz a 30 kHz.
•    Cumple con la directiva RoHS 2002/95/CE.
•    Diseñado y calificado para el mercado industrial.

Especificaciones clave:
•    Semiconductores de 600 V nominales.
•    56 A (TC = 80 °C) IGBT colector de corriente continua.
•    Voltaje de saturación colector a emisor de 1,65 V (IC = 50 A, VGE = 15 V).
•    Pérdida de conmutación total 2,45 mJ  (en TJ °C = 125, incluyendo “tail” y el diodo de recuperación inversa.
•    Diodo SiC de impulso con 29 A
de corriente directa continua (TC = 80 °C).
•    Corriente directa continua  de diodo SiC puente H de 19 A (29 A opcional) (TC = 80 °C).

*    El módulo GENESIS está desarrollado conjuntamente con VISHAY.

WIZARD. Un módulo polivalente que proporciona siete fuentes de alimentación
En las aplicaciones de alta gama de microprocesadores, los switches Gigabit Ethernet , ASICs y aplicaciones FPGA de media-alta gama, la implementación de la fuente de alimentación se está haciendo bastante difícil debido a los múltiples voltajes de alimentación que se requieren en estos sistemas. Para asegurar la eficiencia, se necesitan diseñar reguladores de conmutación, simulados y desarrollados para alcanzar específicamente los requisitos de la aplicación.

Estas son tareas de que necesitan tiempo para el desarrollo principal, para facilitarlo, EBV ha presentado el módulo “Wizard”.
El módulo “Wizard” suministra 7 fuentes de alimentación en un módulo. El Wizard utiliza un voltaje de entrada común de +5V para generar todos los voltajes respectivos usados en aplicaciones de sistema. Los voltajes de salida altos son implementados usando reguladores de conmutación; los otros usan reguladores “low drop-out” (LDOs). El módulo Wizard se suministra en una PCB con piezas en sólo una cara, que permite un montaje flexible en una placa base. Dependiendo de los requisitos, se puede equipar con refrigeración en la parte de inferior. En aplicaciones de altura crítica, se puede montar directamente en la placa base, o para aplicaciones de espacio crítico se puede encajar encima de otra PCB ya montada sobre la placa base. Fuentes analógicas requerirán un filtrado adicional y esto se debe desarrollar en una placa base, cerca de los pines de alimentación del dispositivo. Condensadores “bulk” se han implementado en el Wizard.

Para aumentar la flexibilidad, los voltajes de salida se pueden ajustar por potenciómetros controlados digitalmente para varios voltajes de núcleo e I/O. Una interface I2C está enrutada en un conector. Los potenciómetros están programados para suministrar los respectivos voltajes durante el proceso de producción pero se pueden modificar en el sistema. El módulo también se puede producir con voltajes personalizados definidos.

Principales características del mó-dulo WIZARD:
•    Dimensiones: 59 mm x 57 mm.
•    Temperatura de funcionamiento:
-40 ºC a +85ºC.
•    Voltaje de entrada: 5 V +/- 10%.
•    Conector con paso: 2,54 mm. El conector no está incluido en el módulo.
•    Disipador térmico: tbd.
•    El módulo ofrecece siete voltajes de salida:

Voltaje del núcleo: 0,9V a 5 A.
Voltaje IO1: 1,5 V a 6 A.
Voltaje IO1a: 1,2 V a 0,25 A.
Voltaje IO1b: 1,1 V a 0,6 A.
Voltaje IO2: 3,0 V a 1,2 A.
Voltaje IO2a: 2,5 V a 0,9 A.
Voltaje IO2b: 1,8 V a 0,4 A.

*    WiZARD está desarrollado conjuntamente con National Semiconductor.

vTARIC. Conformador de red en vehículos
Circuito integrado regulador de protocolo del alternador multifuncional destinado a ser usado en vehículos comerciales y para agricultura. Por tanto, soporta sistemas de 12 y 24 V. El modo de regulación de carga puede configurarse por el host a través de un interfaz de protocolo. vTARIC también puede trabajar en aplicaciones autónomas (Stand-alone). Las funciones se pueden programar en modo off-line por una herramienta de programación específica.
El regulador de voltaje del alternador efectúa las principales funciones y opciones:

•    Regulación de voltaje.
•    Protección.
•    Diagnosis de control de fallo.
•    Control de respuesta de carga.
•    Regulación positiva o negativa por transistor externo.
•    LIN 2.1, RVC, PCM, C-term,
interfaz BSI para programación o control.

Características:
•    Diseño estructurado de señal mixta (no monolítico).
•    Controlador del lado de alto voltaje protegido.
•    Campo de protección para cortocircuito.
•    Protección térmica.
•    Diagnosis protegida: lamp driver.
•    Diagnosis compleja.
•    Control de respuesta de carga.
•    Salida DFM.

*    vTARIC está desarrollado conjuntamente con   ST Microelectronics.

Sensor de ángulo de incidencia de luz
Actualmente, EBV ha desarrollado en cooperación con la Universidad Ruhr de Bochum, en la región de Ruhr, Alemania,  una versión preliminar de una estructura integrada para medir el ángulo de incidencia de la luz en cooperación con la Universidad de Bochum.
La medición exacta del ángulo de incidencia de la luz en un objeto es de gran importancia para una extensa variedad de aplicaciones técnicas. Un ejemplo simple se suministra por el detector de altitud solar para controlar el sistema de aire acondicionado en un vehículo.
La tecnología usada en este innovador desarrollo proporciona facilidades para expresar el ángulo de incidencia de la luz en 3D en una superficie con un nivel de exactitud que exceda la centésima de grado. Mientras que los  sensores de medida existentes con tal resolución de ángulo son comparativamente complejos, caros y de mucho espacio, el nuevo sensor CMOS (que incluso puede ser usado si la luz es débil y difusa) es comparativamente simple, robusto, extremadamente pequeño y económico. Además no requiere ningún componente adicional.

Características:
•    Voltaje de alimentación: 1,8 V típico, 3,3 V o 5 V opcional.
•    Consumo de corriente: <200 µA.
•    Rango de temperatura: -40 ºC a +140ºC.
•    Ángulo de cobertura: 0<360º y
-80º<g<80º.
•    Resolución de ángulo: <1/100 grado.
•    Tiempo de medida: 50ms con LED verde en distancia de 40cm, y
-60º< g <60º.
•    Período de integración: 100µs – 10s (dependiendo de la luminancia).
•    Margen de sensibilidad espectral: 400nm < l <1000nm.
•    Número mínimo de pines: 6.
•    Tamaño de pastilla: 2mm2 .
•    Tecnología: diseñado en CMOS 150nm. Otros nodos de tecnología son posibles.
•    Medición de intensidad de luz: sí, dinámica <10º (30bit).
•    Temperatura, voltaje de alimentación, luz ambiente: la influencia se puede compensar cerca de cero.
•    Desajuste de ángulo: <0,1º típico.
•    El gradiente de densidad luminosa de la fuente de luz no tiene influencia en la medida.

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