Nexperia presenta su familia de MOSFETs de potencia NextPower 100 V que ofrece baja Qrr (reverse recovery charge) e incluye piezas que están calificadas para 175 ° C en encapsulado LFPAK56 (PowerSO8).

Los MOSFET NextPower 100 V son componentes de última generación de Nexperia recomendados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alta fiabilidad. Con 50% menos de R_{DS (on)} y una fuerte calificación energética de avalancha, son ideales para diseños de fuente de alimentación, telecomunicaciones e industriales, se adaptan especialmente a cargadores y adaptadores USB-PD Tipo C y adaptadores DC-DC de 48 V. Los dispositivos presentan bajas pérdidas de diodo con baja Q_RR hasta 50 nanoculombios (nC), lo que resulta en una menor IRR (reverse recovery current), picos de tensión más bajos (V_peak) y un timbre reducido que permite un tiempo muerto optimizado adicionalmente.

Comentarios de Mike Becker, Product Manager para MOSFET de potencia: "Qrr es un parámetro que a menudo se pasa por alto, aunque puede tener un efecto significativo en muchos aspectos del diseño. Un bajo volumen de pico significa que la EMI se reduce, mientras que el tiempo muerto optimizado aumenta aún más la eficiencia, que es nuestro objetivo en Nexperia. Hemos demostrado que el bajo Qrr es beneficioso para ambas funciones ".

Los nuevos MOSFET NextPower 100 V están disponibles en tres encapsualdos: dispositivos "Thru-hole" TO220 e I2PAK y el ampliamente aclamado encapsulado LFPAK56 (SMT). Todas las variantes del encapsulado tienen T_{j (máx)} de 175 ° C, y cumplen completamente los requisitos de rango de temperatura ampliada de IPC9592, lo que hace que los MOSFET NextPower 100 V sean especialmente adecuados para aplicaciones de telecomunicaciones e informática.

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