ROHM ha anunciado que suministrará módulos de potencia basados en SiC a VENTURI Formula E team en la FIA Formula E 2017-2018 (cuarta temporada), la competición de carreras más importante para vehículos eléctricos, que comenzará en Hong Kong el 2 y 3 de diciembre. Este módulo permitirá mejorar aún más el rendimiento de la máquina en condiciones de competición.

Como desarrollador líder de dispositivos de potencia a base de SiC, ROHM se ha convertido en el socio tecnológico oficial de VENTURI a partir de la temporada 3, proporcionando los dispositivos de potencia en tecnología de SiC más avanzados del mundo para ser utilizados en el inversor, que es el núcleo del sistema de propulsión del vehículo eléctrico.
El inversor para la cuarta temporada integra un módulo de potencia a base de SiC que lo hace un 43% más pequeño y 6 kg más ligero que el inversor utilizado en la segunda temporada.

Comparación de inversores
La Fórmula E es un categoría de competición de vehículos eléctricos organizada por la FIA (Federación Internacional del Automóvil) que se inició en 2014. La competición se ha extendido a ciudades de todo el mundo, incluyendo hasta la fecha metrópolis como Hong Kong, Berlín o Nueva York, y aboga por un enfoque ambientalmente limpio que no utilice combustibles fósiles. La clave de la victoria en esta serie de carreras es que los pilotos utilicen la energía de la manera más eficiente posible, obteniendo así el máximo rendimiento de la energía almacenada. Se espera que el avance en la tecnología de la Fórmula E pueda ser transferida en un futuro a los vehículos eléctricos de uso general. A pesar de que este evento deportivo está todavía en sus inicios, ya cuenta con la participación de varios fabricantes de automóviles de todo el mundo. Los principales fabricantes de automóviles, incluidos los japoneses, ya han declarado su intención de sumarse a la carrera.

Durante muchos años, ROHM ha proporcionado una gama muy variada de productos, tales como CIs para fuentes de alimentación y diversos CIs de control, además de productos específicos, tales como dispositivos de potencia, resistencias shunt y otros componentes para uso en automóviles. ROHM continúa a la vanguardia del desarrollo de dispositivos de potencia a base de SiC, con los cuales se puede lograr una drástica reducción de las pérdidas en comparación con los dispositivos a base de Si (silicio) convencionales. Estos dispositivos de potencia serán utilizados cada vez más en motores e inversores de vehículos eléctricos (VE).

Según comenta Franck Baldet, CTO, VENTURI Formula E Team: "La Fórmula E es el único evento de deporte motor donde se pueden probar los últimos avances tecnológicos en vehículos eléctricos de última generación. Estamos muy orgullosos de nuestra asociación técnica con ROHM en el área de gestión de energía, que es la clave principal para las carreras de Fórmula E. En la cuarta temporada, con la adopción de un módulo de potencia íntegramente a base de SiC, hemos conseguido hacer realidad un inversor ligero que solo requiere una cantidad mínima de espacio. Gracias al uso de la tecnología más reciente, espero que podamos reducir drásticamente nuestros tiempos de vuelta y espero también que podamos seguir avanzando con otras revoluciones tecnológicas a través de nuestra asociación con ROHM.

Kazuhide Ino, Group General Manager of Power Device Production Headquarters, ROHM Co., Ltd. afirma: "ROHM ha estado proporcionando productos durante muchos años para los automóviles actuales, basándonos en la calidad como nuestra principal ventaja. En la actualidad, este es un campo en el que nos gustaría prestar especial atención; y los dispositivos semiconductores van a desempeñar con toda seguridad un papel crucial en los automóviles híbridos y eléctricos actuales. El dispositivo de potencia en tecnología de SiC que estamos proporcionando para el vehículo de carreras de la Fórmula E es un ejemplo. Ya hemos contribuido con SiC-SBDs en la tercera temporada el año pasado (2016-2017), pero este año ofrecemos módulos de potencia a base de SiC que combinan SiC SBDs y SiC MOSFETs. Estos módulos contribuirán a mejorar el rendimiento del vehículo. Espero que podamos seguir contribuyendo a la sociedad a través de la conversión eficiente de la energía en una amplia gama de industrias y sectores, empezando por los vehículos eléctricos".

La ventaja de utilizar productos SiC
El módulo de potencia basado en SiC que es utilizado en el inversor del coche de competición Fórmula E de VENTURI consigue un gran rendimientogracias al desarrollo de un nuevo encapsulado con una estructura interna mejorada, así como una gestión térmica optimizada. En comparación con los módulos de IGBTs convencionales con valores de corriente similares, este módulo reduce las pérdidas de conmutación en un 75% (a una temperatura del chip de 150°C). Esto contribuye a la eficiencia energética de toda la aplicación. Además, poder reducir el tamaño de los componentes periféricos del inversor a través del uso de una frecuencia de conmutación más alta, junto con la reducción de las pérdidas de conmutación contribuye también a lograr un sistema de refrigeración más compacto.

Al utilizar este módulo de potencia completamente basado en SiC en el inversor (el núcleo del sistema de propulsión), se consigue que este sea un 43% más pequeño y 6 kg más ligero que en la segunda temporada. Incluso en comparación con el inversor anterior utilizado en la tercera temporada, es un 30% más pequeño y 4 kg más ligero.

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