Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha ampliado de nuevo catálogo de MOSFET de canal N de bajo consumo tras la incorporación del SSM6N951L. Este dispositivo de drenador común y 12V, que aprovecha los conocimientos avanzados de la compañía en procesos de semiconductores de potencia, destaca por ofrecer numerosos parámetros de rendimiento que lideran el mercado.

El SSM6N951L está especialmente dirigido a su incorporación en la circuitería de protección de la batería dentro de los paquetes de baterías de Li-Ión. Su resistencia en conducción ultrabaja (4,6mΩ como máximo para una VGS de 3,8V) y una mínima corriente de fuga entre puente y fuente (1μA como máximo para una VGS de 8V) permiten que este dispositivo discreto de potencia tenga unas características térmicas mucho más bajas que la competencia. Esto tiene un gran valor durante los ciclos de carga/descarga de los paquetes de baterías, posibilitando así el desarrollo de soluciones de mayor densidad que consiguen acelerar la velocidad de carga, así como una fiabilidad mucho mayor y una vida operativa más larga.

Estos nuevos MOSFET se suministran en encapsulados TCSP6A-172101 de bajo perfil (con unas dimensiones de 2,14mm x 1,67mm x 0,11mm) por lo que resultan óptimos para su instalación en equipos modernos alimentados por batería y con un espacio limitado.

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