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Renesas Electronics Corporation ha desarrollado tres tecnologías System-on-Chip (SoC) para unidades de control electrónico (ECU) multidominio en automoción. Estas incorporan capacidades avanzadas de procesamiento de IA y funciones de chiplet, sirviendo como plataforma tecnológica clave para las arquitecturas eléctricas/electrónicas (E/E) de próxima generación. Renesas presentó los resultados en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido 2026 (ISSCC 2026), celebrada del 15 al 19 de febrero en San Francisco, EE. UU.
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Renesas Electronics Corporation ha anunciado una memoria direccionable por contenido ternaria (TCAM) configurable basada en un proceso FinFET de 3 nm. La nueva TCAM ofrece simultáneamente mayor densidad, menor consumo energético y una mayor seguridad funcional, lo que la hace adecuada para aplicaciones automotrices. Renesas presentó los resultados en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido 2026 (ISSCC 2026), celebrada del 15 al 19 de febrero en San Francisco, EE. UU.
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Nordic Semiconductor anuncia un importante avance en su estrategia de IA en el edge, ampliando su portafolio de próxima generación de ultra bajo consumo con nuevas capacidades de vanguardia y la disponibilidad general de su primer System-on-Chip (SoC) con Unidad de Procesamiento Neuronal (NPU), el nRF54LM20B System-on-Chip.
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Mitsubishi Electric Corporation ha anunciado el lanzamiento de dos nuevos módulos HVIGBT de la serie XB con aislamiento estándar (6.0 kVrms) y de alta aislamiento (10.2 kVrms), ampliando su oferta de transistores bipolares de puerta aislada de alto voltaje para aplicaciones exigentes de conversión de potencia.
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SoC inalámbricos EFR32xG29 serie 2 de Silicon Labs para aplicaciones IoT de alto rendimiento y bajo consumo El EFR32xG29 de Silicon Labs ya está disponible en Mouser Electronics.
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Con el Astra SL2610, el socio de CODICO, SYNAPTICS, continúa impulsando su enfoque estratégico en la computación en el borde nativa para IA. El procesador ofrece un rendimiento escalable para cargas de trabajo de IA multimodal en aplicaciones de IoT, industriales y de consumo, e integra una NPU de 1 TOPS (optimizada para modelos de transformadores), CPU Arm® Cortex®-A55 de doble núcleo y un núcleo Cortex-M52 energéticamente eficiente con extensiones Helium DSP, proporcionando inferencia de IA de alto rendimiento con un consumo mínimo de energía y a bajo coste.
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ROHM ha ampliado su gama de MOSFET de baja tensión (40 V/60 V) para aplicaciones de automoción —como circuitos principales de control de inversores, bombas eléctricas y faros LED— con la introducción de nuevos productos que adoptan el nuevo encapsulado HPLF5060 (4,9 mm × 6,0 mm).
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Renesas Electronics Corporation ha desarrollado tres tecnologías System-on-Chip (SoC) para unidades de control electrónico (ECU) automotrices multidominio. Estas incorporan capacidades avanzadas de procesamiento de IA y funciones chiplet, y constituyen la plataforma tecnológica central para las arquitecturas eléctricas/electrónicas (E/E) de próxima generación en automoción.
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Trelleborg Sealing Solutions presenta una nueva gama de juntas sin tensioactivos fluorados diseñadas para reducir el impacto medioambiental. A medida que los reguladores mundiales y los fabricantes de semiconductores se centran cada vez más en reducir las sustancias perfluoroalquílicas y polifluoroalquílicas (PFAS) debido a sus posibles efectos sobre la salud humana y el medio ambiente, Trelleborg lanza tres nuevos materiales Isolast® PureFab®: dos elastómeros perfluorados (FFKM) JPF50 y JPF58, y un elastómero fluorado (FKM) VPF20.
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Las crecientes cargas de trabajo de la IA y la computación de alto rendimiento exigen soluciones de alimentación que ofrezcan eficiencia, fiabilidad y escalabilidad. Los módulos de potencia integrados ayudan a agilizar el diseño, reducir el consumo de energía y proporcionar el rendimiento que exigen los centros de datos avanzados.
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Magnachip Semiconductor Corporation presenta su nueva serie de Transistores Bipolares de Puerta Aislada (IGBT), diseñada para inversores solares y sistemas industriales de almacenamiento de energía (ESS), reforzando aún más su posición en el mercado de semiconductores de potencia de alta eficiencia.
Los nuevos IGBT discretos de última generación de 650 V y 1200 V están diseñados para su uso en aplicaciones de inversores solares y ESS.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») amplía su gama de diodos Zener de protección contra sobretensiones con la incorporación de cuatro nuevos productos a su serie CUZ. Los modelos CUZ56V, CUZ62V, CUZ68V y CUZ75V, con tensiones Zener (VZ) de 56 V, 62 V, 68 V y 75 V respectivamente, están diseñados para su uso en fuentes de alimentación para centros de datos, equipos de red, sistemas industriales y arquitecturas de sistemas con 48 V y superiores.
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