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Mouser ya tiene en stock el nuevo procesador de IoT embebido SL1680 de Synaptics. El SL1680 es el más reciente de una serie de procesadores de sistema en chip (SoC) embebido con Android™ y Linux® nativos de IA, que están optimizados para aplicaciones de empresas multimodales, de consumo y del IoT industrial.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha ampliado su gama de diodos Zener con el lanzamiento de otros 15 productos. Estos dispositivos se utilizarán para proteger las líneas eléctricas de los dispositivos y equipos semiconductores contra sobretensiones de conmutación y pulsos de sobretensión de larga duración. Serán útiles en una amplia gama de aplicaciones, tanto de consumo como industriales.
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En los sistemas electrónicos modernos de comunicación, la transferencia eficiente de señales de audio y video es fundamental. Cuando se requiere conectar distintos dispositivos o redes que manejan estas señales, se utiliza un puente de audio y video (Audio/Video Bridge). Este dispositivo cumple la función de interconectar, sincronizar y gestionar múltiples flujos de datos audiovisuales garantizando su correcta transmisión sin pérdida de calidad ni desincronización temporal.
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En la actualidad, los sistemas embebidos demandan un equilibrio entre el procesamiento rápido de señales y el control preciso de sistemas físicos. Esta necesidad ha impulsado el desarrollo de los Controladores Digitales de Señal (Digital Signal Controllers, DSCs), dispositivos híbridos que combinan la potencia de procesamiento de un Procesador Digital de Señales (DSP) con la flexibilidad y facilidad de control de un microcontrolador (MCU).
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») amplía su gama de diodos Zener de protección contra sobretensiones para automoción con el lanzamiento de la serie XCEZ. Estos nuevos diodos se alojan en un encapsulado SOD-523 pequeño y versátil, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones con limitaciones de espacio, como los sistemas de infoentretenimiento para vehículos (IVI), los sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS) y los sistemas de gestión de baterías (BMS).
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanzado el TPH2R70AR5, un nuevo MOSFET de potencia de canal N con una tensión nominal de 100 V fabricado con su proceso de última generación, conocido como U-MOS11-H. El MOSFET se utilizará principalmente en aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), en particular en convertidores CC-CC de alta eficiencia.
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Ya sea para disfrutar de una experiencia cinematográfica inmersiva en casa, para pantallas de visualización frontal en automóviles o para visión artificial industrial, los proyectores gozan de una popularidad cada vez mayor. Para estas aplicaciones, ams OSRAM presenta el primer producto de su nueva serie Vegalas™ Power de diodos láser de alta potencia.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de potencia de canal N, el TPM1R908QM de 80 V y el TPM7R10CQ5 de 150 V. Estas últimas novedades adoptan el innovador encapsulado SOP Advance(E) de Toshiba, diseñado para mejorar el rendimiento de las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales exigentes, incluidos centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
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Magnachip Semiconductor Corporation ha anunciado hoy el lanzamiento de un nuevo MOSFET MXT MV de 80 V, el MDLT080N017RH, con encapsulado TOLT (TO-Leaded Top-Side Cooling).
El MOSFET con encapsulado TOLT supone un importante avance en la gestión térmica.
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Mouser ya ofrece los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de 150 V de Infineon Technologies. Con bajas pérdidas de conmutación, la familia de 150 V ofrece una eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad excepcionales para fuentes de alimentación (PSU) de servidores, optimizadores solares y cargadores USB de alta potencia, así como infraestructura de telecomunicaciones.
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Los IGBT han sido un pilar fundamental en la industria, ya que combinan las ventajas de la alta potencia con mecanismos de accionamiento sencillos. La nueva tecnología IGBT7 se diferencia claramente por las características de los dispositivos, como un voltaje directo más bajo, corrientes nominales más altas, capacidad de sobrecarga de 175 °C, control dv/dt mejorado y diodo volante (freewheeling) mejorado. Cuando se combina con un innovador encapsulado de baja inductancia, la tecnología IGBT7 ofrece facilidad de uso, mayor robustez, densidades de potencia más altas y una eficiencia mejorada, todo ello mientras reduce los costes del sistema.
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ROHM ha anunciado el lanzamiento de nuevos modelos SPICE de Nivel 3 (L3) que ofrecen una convergencia significativamente mejorada y un rendimiento de simulación más rápido.
Puesto que las pérdidas de los semiconductores de potencia tienen un importante impacto en la eficiencia global del sistema, la precisión de la simulación durante la fase de diseño es fundamental. Los anteriores modelos SPICE de Nivel 1 (L1) de ROHM para MOSFET de SiC respondían a esta necesidad reproduciendo con precisión las características clave del dispositivo.
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