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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») presenta dos MOSFET de canal N de 80 V que cumplen con la norma AEC-Q101, ampliando así su gama para dar soporte a los sistemas de automoción de 48 V. Los modelos XPH2R608QB y XPH3R908QB son los primeros productos del proceso U-MOSX-H de última generación que se alojan en el encapsulado SOP Advance (WF) con flancos humectables.
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Wolfspeed, Inc ha anunciado el lanzamiento del primer MOSFET de potencia de SiC de 10 kV disponible en el mercado. El MOSFET de SiC de 10 kV establece un nuevo estándar de durabilidad y rendimiento, con un análisis de vida útil intrínseco de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) que predice 158.000 años de funcionamiento con una tensión de polarización de puerta continua de 20 V.
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ROHM ha desarrollado el último dispositivo de su serie EcoSiC™: los MOSFET de SiC de 5ª generación optimizados para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Esta tecnología es ideal para sistemas de grupos motopropulsores eléctricos en automoción —como inversores de tracción para vehículos eléctricos (xEV)— así como fuentes de alimentación para servidores de IA y equipos industriales como centros de datos.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») presenta el TPHR6704RL, un MOSFET de potencia de canal N de 40 V fabricado utilizando su proceso U-MOS11-H de última generación. El dispositivo está optimizado para fuentes de alimentación conmutadas utilizadas en centros de datos, así como para equipos industriales tales como convertidores CC-CC de alta eficiencia, reguladores de tensión conmutados y controladores de motores.
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La gama Agilex 5 de Altera ya está disponible en Mouser Electronics. Los SoC y las FPGA Agilex 5 de Altera aportan un nivel avanzado de eficiencia en el procesamiento en el borde, el procesamiento de señales digitales (DSP) y la inteligencia artificial (IA), gracias a núcleos dobles CortexA76 y CortexA55 y a la tecnología de Intel 7.
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StarPower amplía su portafolio con módulos de medio puente y puente trifásico de última generación para sistemas de accionamiento eléctrico. Las nuevas soluciones se basan en la última generación de chips de la compañía y ofrecen una densidad de potencia significativamente mayor, un mejor rendimiento térmico y una relación coste-prestaciones optimizada.
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SemiQ Inc, proveedor global de soluciones avanzadas de carburo de silicio (SiC) para aplicaciones de ultra alta eficiencia, alto rendimiento y voltaje, ha lanzado QSiC™ Dual3, una familia de módulos MOSFET de medio puente de 1200 V destinados a accionamientos de motores en sistemas de refrigeración de centros de datos, convertidores de red en sistemas de almacenamiento de energía y aplicaciones industriales.
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Renesas Electronics Corporation anunció que sus circuitos integrados resistentes a la radiación (rad-hard) están siendo utilizados en la misión Artemis II de NASA, que despegó con éxito el 1 de abril desde el Kennedy Space Center. Esta misión, la primera tripulada alrededor de la Luna en décadas, representa un hito clave en los planes de la NASA
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de cinco nuevos componentes MOSFET para automoción, diseñados para ofrecer una combinación de ventajas de ahorro de espacio y fácil montaje. Estos MOSFET de canal N (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW y XSM6K336NW) y de canal P (XSM6J372NW) se alojan en el encapsulado DFN2020B(WF), que cuenta con una estructura de flancos humectables (wettable flanks).
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Mouser Electronics, Inc dispone ya del sistema en chip (SoC) trirradio optimizado para el IoT IW610 con Wi-Fi® 6 de NXP® Semiconductors. La gama IW610 supone un avance de conectividad y eficiencia en los nuevos entornos de automatización industrial y de hogares inteligentes.
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Microchip Technology presenta sus módulos de potencia BZPACK mSiC®, diseñados para cumplir las estrictas normas HV‑H3TRB (High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias). Los módulos BZPACK puede proporcionar una fiabilidad excepcional, agilizan la fabricación y ofrecen opciones versátiles de integración del sistema destinadas a los entornos más exigentes de conversión de potencia.
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StarPower Europe AG presenta su familia de Intelligent Power Modules (IPM), diseñada para satisfacer las necesidades crecientes de control eficiente de energía en entornos industriales, domésticos y electromovilidad. Los módulos de potencia inteligentes de StarPower integran en un único encapsulado componentes clave como dispositivos de conmutación de potencia (IGBT), controladores de compuerta de alta y baja tensión (HVIC/LVIC), así como funciones de protección avanzadas frente a fallos operativos como subtensión, sobrecorriente y sobretemperatura.
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