Toshiba Electronics Europe GmbH anuncia el lanzamiento de doce diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V basados en su última tecnología de 3ª generación. Los nuevos dispositivos están diseñados para su uso en aplicaciones de equipos industriales de eficiencia crítica, como fuentes de alimentación conmutadas, estaciones de carga de vehículos eléctricos e inversores fotovoltaicos.

Conocidos como la serie TRSxxx65H, los nuevos dispositivos utilizan un nuevo metal Schottky. El chip SBD de SiC de 3ª generación optimiza la estructura de la barrera de unión Schottky (JBS) de los productos de 2ª generación, reduciendo así el campo eléctrico en la interfaz Schottky y la corriente de fuga, lo que se traduce en una mayor eficiencia.

Los dispositivos de 3ª generación alcanzan un bajo voltaje de avance (VF) de 1,2 V (típ.). Esto representa una reducción del 17% en comparación con los productos de 2ª generación. Los nuevos productos de 3ª generación han mejorado las compensaciones entre VF y carga capacitiva total (QC), que suele ser de 17nC para el TRS6E65H.

También se ha mejorado la relación entre VF y corriente inversa (IR) en comparación con los productos de 2ª generación, alcanzando el TRS6E65H un valor IR típico de 1,1µA. Todas estas mejoras reducen la disipación de potencia y contribuyen a aumentar la eficiencia de los equipos finales.

Los dispositivos de la serie TRSxxx65H son capaces de soportar corrientes continuas de avance (IF(DC)) de hasta 12 A y corrientes de sobretensión no repetitivas de onda cuadrada IFSM de hasta 640 A. Siete de los nuevos dispositivos se alojan en encapsulados TO-220-2L, mientras que los cinco restantes se suministran en encapsulados SMD DFN8×8 compactos y planos.

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