Rochester Electronics ofrece más de 135 millones de productos de memoria en stock, tanto volátiles como no volátiles, incluyendo DRAMS, SRAM, FIFO, Dual-Ports, EPROM/EEPROM, NOR FLASH, SLC NANO, eMMC, FLASH

EPROMS y EEPROMS
El dispositivo PROM (Programmable Read-Only Memory, memoria programable de sólo lectura) original se propuso en los laboratorios Bell en 1967 y fue desarrollado por Intel en 1971. 30 años después, las EPROM y EEPROM se siguen utilizando en innumerables diseños.

MEMORIA FLASH
Tras su introducción en 1980, la memoria Flash evolucionó en dos tecnologías diferentes. La tecnología flash NOR original podía acceder fácilmente a todas las posiciones de memoria con un alto grado de fiabilidad, y la tecnología flash NAND alternativa ofrecía mayores densidades y menores costes.

MEMORIA SRAM
La memoria SRAM se inventó en 1963 en Fairchild Semiconductor, como continuación de la investigación CMOS de IBM de 1959, que llevó a la introducción de la SRAM Intel 3101 en 1969. En la actualidad se ha trasladado a fabricantes como Infineon, ISSI y Renesas.

MEMORIA DRAM
El desarrollo de la DRAM fue el inicio de un proceso constante de avances que continúa hasta nuestros días. En 1970, Honeywell se asoció con Intel para crear una DRAM de celda de tres transistores, que dio lugar al primer dispositivo disponible comercialmente en el Intel 1103 de 1k bits. La tecnología DRAM pasó a EDO, Fast Page, SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4 y la tecnología actual DDR5, además de versiones de bajo consumo de todas estas variantes.

Rochester, en asociación con SkyHigh Memory Ltd., proporciona una fuente continua de suministro de soluciones de almacenamiento NAND maduras y de baja densidad. Nos centramos en tecnologías de semiconductores heredadas y EOL 100% autorizadas, mientras que SkyHigh se especializa en soluciones de almacenamiento NAND en SLC y eMMC. Con estos talentos combinados, cubrimos las necesidades de almacenamiento de nuestros clientes en todo el mundo.

Rochester ofrece inventario en dos tecnologías DRAM clave: SDRAM y DDR3. Nuestra asociación con ISSI permite a nuestros clientes mutuos acceder a DRAM que abarca DRAM de sincronización estándar, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 y RLDRAM2 de baja latencia, con una gama de DRAM con densidades de 16 Mb a 4 Gb según la tecnología.

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