Mouser Electronics, Inc anuncia un nuevo libro electrónico en colaboración con Analog Devices, Inc. (ADI) y Bourns en el que analizan los desafíos y los beneficios de la tecnología de nitruro de galio (GaN) en términos de eficiencia, rendimiento y sostenibilidad.

10 expertos debaten sobre la tecnología del nitruro de galio analiza cómo la tecnología GaN, que permite una mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y una mayor densidad de potencia que el silicio, está revolucionando la electrónica de potencia.

Las ventajas de la tecnología GaN ofrecen amplias ventajas en varios sectores, desde aplicaciones industriales y de automoción hasta la electrónica de consumo y las energías renovables. El nuevo libro electrónico proporciona conocimientos de expertos de ADI, Bourns y otras empresas sobre los beneficios de GaN, los desafíos que pueden enfrentar los diseñadores que por primera vez utilizan tecnología GaN y cómo abordar mejor la transición del silicio a GaN. El libro electrónico también destaca productos relevantes de ADI y Bourns, como controladores de GaN, inductores de potencia, etc.

Los controladores de descenso de tensión síncronos LTC7890/1 de ADI son controladores de reguladores de conmutación de CC a CC de descenso de tensión y de alto rendimiento que controlan etapas de potencia de transistores de efecto de campo (FET) de GaN síncronos de canal N que tienen tensiones de entrada de hasta 100 V. Estos dispositivos simplifican el diseño y al mismo tiempo no requieren diodos de protección u otros componentes externos adicionales, en comparación con las soluciones de semiconductores de óxido metálico de silicio.

El LT8418 es un controlador de GaN de medio puente de 100 V que integra las etapas de controlador superior e inferior, el control de la lógica del controlador y protecciones. El LT8418 proporciona controladores de puerta divididos para ajustar las velocidades de respuesta de encendido y apagado de los FET de GaN con el fin de suprimir la resonancia y optimizar el rendimiento de EMI.

Las altas frecuencias de conmutación en la tecnología GaN exigen una cuidadosa selección de componentes pasivos. Bourns ofrece componentes magnéticos avanzados optimizados para las frecuencias más altas de GaN, como sus inductores de potencia planos PQ, los inductores con chip CWP3230A y los inductores TLVR TLVR1105T. Estos dispositivos se caracterizan por su baja inductancia, sus altos valores de corriente y un diseño blindado frente a una baja radiación.

El transformador HCTSM150102HL de Bourns cuenta con un aislamiento reforzado, una distancia mínima de aislamiento/distancia de fuga de 15 mm y una tensión máxima de 7,64 kV (2 s) para proporcionar un alto grado de aislamiento frente a los peligros que se derivan de la alta tensión. El transformador está fabricado con un núcleo toroidal de ferrita para lograr un elevado factor de acoplamiento y una gran eficiencia.

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