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Diodos de silicio Qspeed para automoción con baja Qrr

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Power Integrations ha anunciado hoy su diodo Qspeed de 600 V y 12 A, que ofrece la carga de recuperación inversa (Qrr) más baja del sector para un diodo de silicio. Con una Qrr de tan sólo 14 nC a 25 °C, mejora la eficiencia de la etapa PFC de los cargadores de a bordo y reduce significativamente la temperatura de los MOSFETs PFC. El QH12TZ600Q, con calificación AEC-Q101, ofrece el mismo rendimiento de baja pérdida de conmutación de un dispositivo de carburo de silicio (SiC) sin las desventajas de pasar a una tecnología más cara.

Edward Ong, director senior de marketing de productos de Power Integrations afirma: "La Qrr de estos nuevos diodos Qspeed es la mitad que el de los siguientes mejores diodos ultrarrápidos de silicio, lo que se traduce en una eficiencia del sistema muy elevada. Esto es especialmente importante para las aplicaciones de cargadores de a bordo de automóviles que requieren una mayor frecuencia de conmutación para reducir el volumen y el peso, y permite que los diodos Qspeed sustituyan a los dispositivos de SiC".

El QH12TZ600Q utiliza la tecnología fusionada de diodos PiN y Schottky para lograr un alto rendimiento. Sus características de transición de corriente de recuperación inversa suave no sólo aumentan la eficiencia, sino que también reducen la EMI y la tensión inversa máxima, eliminando la necesidad de protectores cuando se utilizan como rectificadores de salida en cargadores de a bordo. Los dispositivos están disponibles en el compacto encapsulado TO-220 aislado de 2,5 kV que permite el montaje directo en disipadores de calor metálicos, facilitando un excelente rendimiento térmico.

Disponibilidad y recursos
Los nuevos diodos Qspeed de 600 V y 12 A tienen un precio de 1,17 dólares en pedidos de 10.000 unidades. Para más información, póngase en contacto con un representante de ventas de Power Integrations o con uno de los distribuidores mundiales autorizados de la empresa: Digikey, Farnell, Mouser y RS Components.

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