Mouser Electronics, Inc anuncia un acuerdo de distribución internacional con Navitas Semiconductor, una empresa dedicada exclusivamente a semiconductores de potencia de nueva generación y líder de la industria en CI de potencia de nitruro de galio (GaN) y tecnología de carburo de silicio (SiC).

En virtud de este acuerdo, Mouser ofrecerá a los clientes la gama de CI de potencia GaNFast™ y GaNSense™ de Navitas, además de la gama GeneSiC™ de MOSFET de potencia y diodos de SiC. Estos semiconductores altamente eficientes permiten un rendimiento de alta frecuencia para aplicaciones como los vehículos eléctricos, los dispositivos de carga rápida, la electrónica de consumo, las energías alternativas y soluciones industriales.

«Mouser se complace en añadir este fuerte líder de la industria a nuestra lista y en ofrecer estos innovadores dispositivos de potencia a nuestros clientes», señaló Kristin Schuetter, vicepresidenta de gestión de proveedores de Mouser. «Los ingenieros de diseño tienen ahora fácil acceso a los componentes avanzados de Navitas, respaldados por el insuperable servicio de atención al cliente de Mouser y una logística de primera categoría. Esperamos que esta asociación sea un gran éxito».

«Añadir los artículos GaNFast a la cartera existente de GeneSiC amplifica enormemente el conocimiento, el interés y, en última instancia, los ingresos para Navitas a través de la plataforma de distribución sólida y de gran éxito de Mouser», señaló David Carroll, vicepresidente sénior de ventas internacionales de Navitas Semiconductor. «Los productos de última generación, la facilidad de uso, la disponibilidad inmediata y la gran asistencia técnica hacen que los diseñadores de potencia puedan entregar rápidamente prototipos de alta calidad tanto de SiC como de GaN, a tiempo y listos para la producción en masa».

Los CI de potencia GaNFast permiten frecuencias de conmutación seis veces superiores a las de las soluciones discretas de GaN, lo que permite aumentar el ahorro de energía del sistema y reducir su tamaño y peso. Los CI de potencia GaNFast son fáciles de usar y compatibles con una amplia gama de las topologías y controladores más populares. Los CI de potencia GaNFast integran de forma monolítica la potencia, el accionamiento y el control de GaN para crear un elemento esencial «digital-in, power-out» fácil de usar, de alta velocidad y de alto rendimiento. Los CI de potencia GaNFast permiten una carga hasta 3 veces más rápida con la mitad de tamaño y peso que la antigua electrónica de potencia basada en silicio, o una potencia 3 veces superior sin aumentar el tamaño ni el peso.

Los CI de potencia GaNFast con tecnología GaNSense integran circuitos de detección y protección autónomos, críticos y en tiempo real que mejoran aún más la fiabilidad y robustez líderes en la industria de Navitas. Estas revolucionarias soluciones en un solo paquete reducen el número de componentes y el espacio ocupado en comparación con los sistemas discretos existentes, lo que reduce el coste, el tamaño, el peso y la complejidad del sistema. Con un rango de tensión de alimentación de 5,5 a 24 V, los CI de potencia GaNFast son ideales para una gran variedad de aplicaciones empresariales y de consumo.

La familia GaNFast de CI de potencia ofrece múltiples ventajas de eficiencia y fiabilidad en paquetes PQFN estándar, fáciles de usar, de perfil bajo y de inductancia baja. Estos dispositivos agilizan la creación de prototipos y la obtención de ingresos, y están diseñados para permitir la nueva generación de topologías de conmutación por software, al tiempo que maximizan la capacidad de conmutación rápida MHz+ y de alta velocidad de GaN. Estos dispositivos altamente eficientes son adecuados para aplicaciones móviles y de centros de datos, así como para accionamientos de motores industriales.