ROHM Co., Ltd. (ROHM) ha anunciado hoy que ROHM y TSMC han iniciado una asociación estratégica para el desarrollo y la producción en serie de dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones en vehículos eléctricos.

La asociación integrará la tecnología de desarrollo de dispositivos de ROHM con la tecnología de proceso GaN sobre silicio de la empresa TSMC, líder del sector, para satisfacer la creciente demanda de propiedades superiores de alta tensión y alta frecuencia sobre silicio para dispositivos de potencia.

Los dispositivos de potencia de GaN se utilizan actualmente en aplicaciones industriales y de consumo, como adaptadores de CA y fuentes de alimentación para servidores. TSMC, empresa líder en sostenibilidad y fabricación ecológica, da soporte a la tecnología de GaN por sus potenciales beneficios medioambientales en aplicaciones para la automoción, como cargadores de a bordo e inversores para vehículos eléctricos.

La asociación se basa en el historial de colaboración de ROHM y TSMC en el ámbito de dispositivos de potencia de GaN. En 2023, ROHM adoptó los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN de 650 V de TSMC, cuyo proceso se utiliza cada vez más en dispositivos de consumo e industriales como parte de la serie EcoGaN™ de ROHM, incluido el adaptador de CA de 45 W (cargador rápido) "C4 Duo" producido por Innergie, una marca de Delta Electronics, Inc.

«Los dispositivos de GaN, capaces de funcionar a alta frecuencia, son objeto de gran expectación por su contribución a la miniaturización y el ahorro energético, que pueden ayudar a lograr una sociedad descarbonizada. Contar con partners fiables es fundamental para implementar estas innovaciones en la sociedad, y estamos encantados de colaborar con TSMC, que posee una tecnología de fabricación muy avanzada líder en el mundo», afirma Katsumi Azuma, miembro del Consejo de Administración y Senior Managing Executive Officer de ROHM. «Además de esta asociación, al proporcionar soluciones de GaN fáciles de usar que incluyen circuitos integrados de control para maximizar el rendimiento del GaN, nuestro objetivo es promover la adopción del GaN en la industria del automóvil».

«A medida que avanzamos con las siguientes generaciones de nuestra tecnología de proceso de GaN, TSMC y ROHM amplían su asociación al desarrollo y la producción de dispositivos de potencia de GaN para aplicaciones de automoción», afirma Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development de TSMC. «Al combinar la experiencia de TSMC en la fabricación de semiconductores con la competencia de ROHM en el diseño de dispositivos de potencia, nuestro objetivo es superar los límites de la tecnología de GaN y su implementación para los vehículos eléctricos».

Acerca de TSMC
TSMC fue pionera en el modelo de negocio de pure-play foundry cuando se fundó en 1987, y desde entonces ha sido la principal foundry dedicada a semiconductores a nivel mundial. La empresa da servicio a un próspero ecosistema de clientes y partners globales con las tecnologías de proceso líderes de la industria y una cartera de soluciones de facilitación del diseño para desplegar la innovación en la industria mundial de semiconductores. Con operaciones globales en Asia, Europa y Norteamérica, TSMC es una entidad corporativa comprometida en todo el mundo.
TSMC desplegó 288 tecnologías de proceso distintas y fabricó 11 895 productos para 528 clientes en 2023 proporcionando la más amplia gama de servicios tecnológicos avanzados, especializados y de encapsulado. La empresa tiene su sede principal en Hsinchu (Taiwán). 

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