ROHM ha anunciado la adopción de módulos de potencia equipados con chips SiC MOSFET de 4ª generación para los inversores de tracción en tres modelos de la marca ZEEKR EV de Zhejiang Geely Holding Group (Geely), uno de los 10 principales fabricantes de automóviles del mundo. Desde 2023, estos módulos de potencia han sido producidos en serie y enviados desde HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd. - Ltd., una empresa conjunta entre ROHM y Zhenghai Group Co., Ltd., a Viridi E-Mobility Technology (Ningbo) Co., Ltd, un fabricante de primer nivel dependiente de Geely.

Geely y ROHM han estado colaborando desde 2018, comenzando con intercambios técnicos, para luego formar una asociación estratégica centrada en dispositivos de potencia SiC en 2021. Esto llevó a la integración de los MOSFET de SiC de ROHM en los inversores de tracción de tres modelos: el ZEEKR X, el 009 y el 001. En cada uno de estos VE, las soluciones de potencia de ROHM centradas en los MOSFET de SiC desempeñan un papel clave en la ampliación de la autonomía de crucero y la mejora del rendimiento general.

ROHM está comprometida con el avance de la tecnología SiC, con planes para lanzar MOSFET de SiC de 5ª generación en 2025, al tiempo que acelera la introducción en el mercado de dispositivos de 6ª y 7ª generación. Además, al ofrecer SiC en diversas formas, como chips desnudos, componentes discretos y módulos, ROHM puede promover la adopción generalizada de la tecnología SiC, contribuyendo a la creación de una sociedad sostenible.

Modelos ZEEKR equipados con EcoSiC™ de ROHM
El ZEEKR X, que cuenta con una potencia máxima superior a 300 kW y una autonomía de crucero de más de 400 km a pesar de ser un SUV compacto, está llamando la atención incluso fuera de China debido a su excepcional rentabilidad. El monovolumen 009 cuenta con una cabina inteligente y una gran batería de 140 kWh, con la que alcanza una extraordinaria autonomía máxima de crucero de 822 km. Y para los que buscan un rendimiento superior, el modelo insignia, el 001, ofrece una potencia máxima de más de 400 kW con dos motores y una autonomía de más de 580 km, junto con un sistema de control independiente en las cuatro ruedas.

Antecedentes del mercado y EcoSiC™ de ROHM
En los últimos años, se ha impulsado el desarrollo de sistemas eléctricos más compactos, eficientes y ligeros para ampliar la adopción de vehículos eléctricos de nueva generación (xEV) y alcanzar objetivos medioambientales como la neutralidad de carbono. En el caso concreto de los vehículos eléctricos, la mejora de la eficiencia del inversor de tracción, un elemento clave del sistema de propulsión, es crucial para ampliar la autonomía de crucero y reducir el tamaño de la batería de a bordo, lo que aumenta las expectativas en torno a los dispositivos de potencia de SiC.

ROHM, el primer proveedor del mundo en iniciar la producción en masa de MOSFET de SiC en 2010, sigue liderando el sector en el desarrollo de tecnología de dispositivos de SiC. Estos dispositivos se comercializan ahora bajo la marca EcoSiC™, que abarca una completa gama que incluye chips desnudos, componentes discretos y módulos. Para más información, visite la página de SiC en el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices

EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC), que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por un rendimiento que supera al silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para la evolución del SiC, desde la fabricación de obleas y los procesos de producción hasta el envasado, pasando por los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, ROHM ha establecido un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación.

Información de apoyo
ROHM se compromete a proporcionar soporte a nivel de aplicación, incluyendo el uso de equipos internos de prueba de motores Además, haciendo clic en la URL de abajo, los usuarios pueden acceder a diversos contenidos de soporte en el sitio web de ROHM que facilitan la evaluación e introducción de los MOSFET de SiC de 4ª generación, como SPICE y otros modelos de diseño, circuitos de simulación para aplicaciones comunes (ROHM Solution Simulator) e información sobre la placa de evaluación.

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