Honeywell ha desarrollado una nueva línea de material electrónico para permitir a los fabricantes de células fotovoltaicas de silicio cristalino aumentar su producción de energía mediante el uso células con diseños avanzados y de alta eficiencia.

Los nuevos materiales incluyen dieléctricos y dopantes, que son habitualmente utilizados en la fabricación de semiconductores en grandes cantidades.

“Honeywell continúa innovando para aplicar la tecnología probada de semiconductores y materiales para la industria fotovoltaica”, indica Dmitry Shashkov, director de negocios de Honeywell Electronic Materials. “El dopante de Honeywell y los materiales dieléctricos ayudarán a los fabricantes de células fotovoltaicas de silicio cristalino a aplicar ‘low-cost’ y procesos de fabricación industrial de alto rendimiento en los nuevos diseños de células solares probados en los laboratorios de I + D”.

Los dopantes se forman por los productos químicos que alteran las propiedades eléctricas del silicio y pueden ser aplicados selectivamente para cambiar las propiedades eléctricas de las partes específicas de las células solares. Los se forman por los productos químicos que actúan como aislantes eléctricos, previniendo el flujo de corriente eléctrica a través de ciertas áreas determinadas de la célula fotovoltaica. Estos materiales dieléctricos se han diseñado para proporcionar otros beneficios, tales como la calidad de una capa de pasivación para evitar efectos nocivos de recombinación, una barrera de difusión para evitar la difusión no deseada de dopantes en algunas regiones, y un material de enmascaramiento.

Honeywell ha diseñado estos nuevos materiales con niveles extremadamente bajos de impurezas, ya que las impurezas pueden degradar la calidad del PV de la célula. La estructura de las células c-Si que están habilitadas por los nuevos materiales de Honeywell incluye un emisor selectivo, pasivación posterior, punto de contacto, y células de boro en la superficie posterior. Además los dopantes Honeywell permitirán la amplia adopción de sustratos tipo n-Si en lugar de los actuales tipo p-Si, eliminando efectos perjudiciales de degradación por luz inducida inherentes en los tipo p-Si. Estos nuevos materiales se pueden aplicar a obleas de silicio usando métodos de bajo costo y alto rendimiento tales como la serigrafía y la impresión de chorro de tinta.

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