Circuitos integrados

Módulos amplificadores de RF NXP con refrigeración superior para reducir el tamaño de las radios 5G

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NXP Semiconductorsha anunciado hoy una familia de módulos amplificadores de RF con refrigeración superior, basados en una innovación de encapsulado diseñada para permitir radios más finas y ligeras para la infraestructura 5G. Estas estaciones base más pequeñas pueden instalarse de forma más sencilla y rentable, y se integran más discretamente en su entorno.

La serie de módulos multichip GaN de NXP, combinada con la primera solución de refrigeración superior de la industria para potencia de RF, ayuda a reducir no solo el grosor y el peso de la radio en más de un 20 por ciento, sino también la huella de carbono para la fabricación y el despliegue de estaciones base 5G.

"La refrigeración por el lado superior representa una oportunidad significativa para la industria de la infraestructura inalámbrica, ya que combina capacidades de alta potencia con un rendimiento térmico avanzado para permitir un subsistema de RF más pequeño", afirma Pierre Piel, Vicepresidente y Director General de Radio Power en NXP. "Esta innovación ofrece una solución para el despliegue de estaciones base más respetuosas con el medio ambiente, al tiempo que permite la densidad de red necesaria para obtener todos los beneficios de rendimiento de 5G."

Los nuevos dispositivos refrigerados por la parte superior de NXP ofrecen importantes ventajas de diseño y fabricación, como la eliminación del blindaje de RF dedicado, el uso de placas de circuito impreso rentables y simplificadas, y la separación de la gestión térmica del diseño de RF. Estas características ayudan a los proveedores de soluciones de red a crear radios 5G más finas y ligeras para los operadores de redes móviles, al tiempo que reducen su ciclo de diseño general.

La primera serie de módulos de potencia de RF refrigerados por la parte superior de NXP está diseñada para 32T32R, radios de 200 W que cubren desde 3,3 GHz a 3,8 GHz. Los dispositivos combinan las tecnologías de semiconductores LDMOS y GaN propias de la empresa para permitir una alta ganancia y eficiencia con un rendimiento de banda ancha, ofreciendo una ganancia de 31 dB y una eficiencia del 46 por ciento sobre 400 MHz de ancho de banda instantáneo.

Los productos A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC y A5M36TG140-TC ya están disponibles. El A5M36TG140-TC será compatible con la serie de placas de referencia RapidRF de NXP. Para obtener más información, consulte nuestra hoja informativa en NXP.com/TSCEVBFS o póngase en contacto con el departamento de ventas de NXP en todo el mundo.

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