International Rectifier ha presentado un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de zanja (trench) de 1400V robusto, fiable y ultrarrápido optimizado para aplicaciones de conmutación suave como cocinas de inducción y hornos microondas.

El IRG7PK35UD1PbF, que se integra en el mismo encapsulado con un diodo de tensión directa ultrabaja, utiliza la tecnología de zanja de oblea fina Gen7 de IR para proporcionar una VCE(ON) extremadamente baja y una conmutación ultrarrápida para ofrecer las pérdidas más bajas en conducción y en conmutación con el fin de elevar la eficiencia del sistema en aplicaciones de calentamiento por inducción. El mayor rango de tensiones del dispositivo hasta 1400V permite el diseño de convertidores de potencia resonantes en paralelo de terminación sencilla con una mayor potencia, y ofrece una mayor protección para diseños más robustos.
 
El IRG7PK35UD1PbF amplía la conocida familia de IGBT de IR para aplicaciones de conmutación suave hasta 1400V, ampliando así el rango de potencia de los sistemas de calentamiento por inducción. La especialización de IR en aplicaciones de potencia permite optimizar los dispositivos para cumplir los requisitos técnicos de varios sistemas de potencia.
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