International Rectifier presenta una plataforma tecnológica de transistores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de nueva generación. La plataforma de IGBT de 1200V de 8ª Generación (Gen8) utiliza la tecnología trench gate field stop de última generación de IR,

suministrada en encapsulados TO-247 estándar, para ofrecer las mejores prestaciones dentro de su categoría en aplicaciones industriales y de ahorro de energía.
 
Los nuevos dispositivos Gen8 se encuentran disponibles para corrientes de 8A a 60A con una VCE(ON) típica de 1,7V y un tiempo de respuesta ante cortocircuitos de 10µs para reducir la disipación de potencia, dando así como resultado un aumento de la densidad de potencia y una superior robustez.
 
La nueva tecnología ofrece unas características de paso a corte más suaves, para aplicaciones de accionamiento de motores al minimizar dv/dt para reducir el nivel de EMI y la sobretensión, así como para aumentar la fiabilidad y la robustez. Una distribución precisa de los parámetros ofrece un excelente compartimiento de la corriente al conectar en paralelo varios IGBT. La tecnología de oblea fina mejora la resistencia térmica y su máxima temperatura de unión llega a 175°C.

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