International Rectifier ha ampliado su catálogo de transistores IGBT (insulated-gate bipolar transistors) tras la incorporación de una familia de dispositivos robustos y fiables de 650V optimizados para aplicaciones de conmutación rápida, incluyendo inversores solares, equipos de soldadura, motores industriales, calentamiento por inducción y sistemas de alimentación ininterrumpida.

La familia IRGP47xx de IGBT, para un rango de corrientes de 15A a 90A, utiliza la tecnología de oblea fina de zanja (trench) con el fin de reducir las pérdidas en conducción y en conmutación y proporcionar una mayor eficiencia al sistema. Los nuevos IGBT, suministrados como dispositivos discretos encapsulados junto con un diodo de recuperación suave con una baja Qrr, están optimizados para conmutación ultrarrápida (8KHz-30KHz), ofrecen un tiempo de respuesta en caso de cortocircuito de 6µs y un coeficiente de temperatura de VCE(ON) positivo para facilitar su conexión en paralelo. Su mayor tensión de ruptura una fiabilidad añadida en caso de variaciones extremas de las condiciones meteorológicas y de inestabilidad de la línea de CA, además de eliminar la necesidad de dispositivos de supresión de tensión.
 
La familia IRGP47xx está indicada para un amplio rango de frecuencias de conmutación y se caracteriza por una baja VCE(ON) de 1,7V (típica) a 100°C y una baja energía total de conmutación (ETS) para reducir la disipación de potencia. Se ofrecen como dispositivos encapsulados y otras características importantes son una temperatura máxima de unión de 175°C y una baja EMI para una mejor fiabilidad.

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