Circuitos integrados

Dispositivos que incorporan los MOSFET de baja tensión más avanzados de IR para aplicaciones de protección de baterías de litio-ion

Inicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivadoInicio desactivado
 

International Rectifier ha anunciado un amplio catálogo de dispositivos que incorporan los MOSFET de baja tensión más avanzados de IR para aplicaciones de protección de baterías de litio-ion. Entre ellos se encuentra el MOSFET IRL6297SD DirectFET® de doble canal N.

ir7032 wLos nuevos MOSFET de potencia, caracterizados por una resistencia en conducción (RDS(on)) muy baja para reducir significativamente las pérdidas en conducción, se suministran como dispositivos de 20V y 30V en configuraciones de canal N y P. Estos dispositivos, diseñados con un control de puerta máximo a partir de 12Vgs, son ideales para circuitos de protección de baterías con dos células en serie. El IRL6297SD ofrece dos MOSFET de canal N de 20V en configuración de drenador común en un encapsulado DirectFET® Small Can compacto y térmicamente eficiente.
 
El amplio catálogo de MOSFET de IR para gestión de baterías se suministra en encapsulados estándar así como en el doble Small Can DirectFET® para diseños compactos. Como resultado de la baja Rds(on) de esta plataforma, los dispositivos se pueden utilizar para sustituir MOSFET de encapsulados más grandes con el fin de ahorrar espacio en la placa y reducir el coste del sistema.
 
Todos los dispositivos son conformes a MSL1 y RoHS y no contienen plomo, bromuros o halógenos.

Más información o presupuesto

Articulos Electrónica Relacionados

Edicion Revista Impresa

1ww   

Para recibir la edición impresa o en PDF durante 1 año (10 ediciones)

Suscripción papel: 180,00.- €  (IVA inc.)

Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)

Noticias Populares Electrónica

Melexis alcanza ASIL C(D) con sus sensores de corriente IVT

Melexis alcanza la conformidad de seguridad ASIL C con su plataforma de detección inteligente IVT (corriente, tensión, temperatura). La interfaz...

Conmutador SPDT RF en un encapsulado compacto

Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») acaba de lanzar un nuevo conmutador RF SPDT (Single-Pole, Double Throw) en un encapsulado compacto,...

Circuitos integrados de autentificación segura de las familias ECC20x y SHA10x en la plataforma TrustFLEX

El suministro de claves seguras es vital para proteger claves sensibles frente a intentos de manipulación y ataques maliciosos externos. El...

Nuevo núcleo en la familia de controladores de señal digital dsPIC® de Microchip

Los sistemas embebidos son cada vez más complejos y existe una mayor necesidad de que aumenten su rendimiento, de ahí que Microchip Technology haya...

Convertronic

Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.Todos los derechos reservados GM2 Publicaciones Técnicas, S.L.
Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net

Suscríbete a nuestro boletín de noticias

Revista Española de electrónica. Impresa desde hace más de 25 años.

España - Madrid - Todos los derechos reservados Revista © Convertronic Electrónica Profesional Española.

Search