Toshiba Electronics Europe (TEE) ha ampliado su familia de dispositivos de carburo de silicio (SiC) con el lanzamiento de un módulo de potencia alta eficiencia de 3300V, 1500A.

El MG1500FXF1US71 PMI (módulo de caja de plástico IEGT) integra un canal N IEGT (transistor de puerta mejorada por inyección) y un diodo SiC de recuperación rápida (FRD) en un encapsulado con una superficie de sólo 140 mm x 190 mm.

El nuevo módulo de Toshiba ahorrará energía, espacio y peso y reducirá el ruido acústico en diseños de inversor de conmutación de alta potencia y control de motores. Las aplicaciones a las que está dirigido incluyen tracción ferroviaria, control de motores industriales, sistemas de energía renovable y la transmisión y distribución de electricidad.

El uso de un diodo de barrera Schottky SiC (SBD) disminuye significativamente la corriente de recuperación inversa - y conduce a una disminución correspondiente de la pérdida de encendido - en comparación con las alternativas de silicio. Una combinación de diodo y un diseño interno de encapsulado mejorad para reducir las inductancias parásitas permite que el MG1500FXF1US71 funcione con una pérdida de recuperación inversa hasta un 97% más baja que un módulo que utiliza un diodo de silicio convencional.

El MG1500FXF1US71 ofrece una tensión nominal de aislamiento de 6000 VAC (rms por minuto) y puede manejar una corriente pico de apagado del colector de 3000A. Disipación de potencia del colector (a 25°C) es de 5000W. Un intervalo de temperatura de funcionamiento de -40°C a 150°C es compatible con entornos de temperatura ampliados que caracterizan a las aplicaciones de destino.

Durante el desarrollo del módulo híbrido 3300V, 1500A fue incorporado al diseño de un inversor de tracción ferroviaria. Al utilizar el módulo, el tamaño total de sub-conjunto de control del motor (incluyendo el sistema de refrigeración) se redujo en un 40%. Además, el uso del módulo ayudó a reducir el ruido acústico y mejorar la calidad de la marcha.

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