Toshiba Electronics Europe (ETE) ha ampliado su gama de MOSFET de potencia canal N para automoción con el lanzamiento de dos nuevos dispositivos: TK160F10N1 de 100 V a 160 A, y TK200F04N1L de 40 V a 200 A.

Las aplicaciones objetivo incluyen EPS, convertidores DC-DC y los interruptores de carga.
Cada dispositivo dispone de un chip usando el proceso U-MOSVIII-H en un encapsulado To-220SM (W) que tiene su resistencia de encapsulado reducida al límite con un nuevo conector de cobre interno. De esta manera, los productos han alcanzado baja resistencia (on-resistance) en la industria medida @ V_GS = 10V.
R_DS (on) = 0,78mΩ (típica) para el TK200F04N1L
R_DS (on) = 2,0mΩ (típica) para el TK160F10N1.
Ambos dispositivos cuentan con una baja resistencia térmica de R_th (ch-c) = 0.4˚ C / W (max) y un ratio máximo de temperatura de canal de 175ºC.
Los nuevos MOSFETs disponen de la mayor eficiencia y la menor generación de calor. Además, la U-MOSVIII-H tiene una mejor capacidad de supresión de la ondulación de conmutación que la generación anterior. Puede contribuir a la reducción de ruido EMI en las aplicaciones.
TK160F10N1 y TK200F04N1L serán conformes a los requisitos de calificación AEC-Q101 l de automoción.

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